H9TP26A8JDACNR-KGM 是一款由 SK Hynix 生產(chǎn)� DDR4 SDRAM �(nèi)存顆粒芯�,廣泛應(yīng)用于�(tái)式機(jī)、筆記本電腦、服�(wù)器以及其他需要高性能�(nèi)存支持的�(shè)備中。該型號(hào)采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備低功耗和高帶寬的特點(diǎn),滿足現(xiàn)代計(jì)算平�(tái)對內(nèi)存性能的需求�
DDR4 技�(shù)在時(shí)鐘頻率和�(shù)�(jù)傳輸速率方面顯著提升,同�(shí)降低了工作電�,使得其成為主流�(yīng)用中的重要選��
類型:DDR4 SDRAM
容量�8Gb (1GB)
組織方式:x8
工作電壓�1.2V
封裝形式:BGA
I/O 引腳�(shù)�78-ball
速度�2666Mbps
溫度范圍�-40°C � +85°C
工作頻率�2666MT/s
H9TP26A8JDACNR-KGM 使用 DDR4 �(biāo)�(zhǔn),相較于前代 DDR3 具備更高的數(shù)�(jù)傳輸速率和更低的工作電壓。主要特性包括:
1. �(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 2666MT/s,能夠提供更快的�(shù)�(jù)處理能力�
2. 工作電壓降低� 1.2V,相� DDR3 � 1.5V 減少了能�,提升了效率�
3. 支持突發(fā)長度(BL)為 4 � 8,增�(qiáng)了數(shù)�(jù)讀寫的靈活��
4. 采用 x8 的位寬設(shè)�(jì),適用于單芯片構(gòu)建多通道�(nèi)存模塊�
5. 封裝為緊湊型 BGA,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�
6. 提供工業(yè)級溫度范圍支� (-40°C � +85°C),確保在各種�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
H9TP26A8JDACNR-KGM 主要�(yīng)用于需要大容量、高速度和低功耗內(nèi)存的場景,包括:
1. 桌面�(jì)算機(jī)和工作站�
2. 筆記本電腦和其他移動(dòng)�(shè)��
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,如路由器和交換機(jī)�
4. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)�
5. 企業(yè)級服�(wù)器和�(shù)�(jù)中心解決方案�
6. 游戲主機(jī)和圖形處理單元(GPU)相�(guān)的存�(chǔ)需求�
H9TP26A8GDACNR-KGM, H9CCNNN8JTMCUR_KGM