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H9TQ64A8GTBCUR-KUM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:04:38 查看 閱讀�28

H9TQ64A8GTBCUR-KUM 是由 SK hynix 生產(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量存儲和高性能�(shù)�(jù)傳輸?shù)膱龊?,例如固�(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲�(shè)備和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。其�(shè)�(jì)注重高密度存儲與低功耗特性,適合對存儲成本敏感的大規(guī)模數(shù)�(jù)存儲�(yīng)��

參數(shù)

容量�64GB
  接口類型:Toggle DDR 3.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:TSOP
  存儲單元類型:TLC
  頁大小:16KB
  區(qū)塊大?�?048�
  擦寫周期:約 1000 �
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:1年(� 30°C 條件下)
  讀取速度:高�(dá) 533 MT/s
  寫入速度:高�(dá) 533 MT/s

特�

H9TQ64A8GTBCUR-KUM 芯片具備高密度存儲能�,同�(shí)支持高速數(shù)�(jù)傳輸�(xié)� Toggle DDR 3.0,確保了高效的性能表現(xiàn)�
  該芯片采� TLC 技�(shù),能夠在每�(gè)存儲單元�(nèi)保存 3 位數(shù)�(jù),從而顯著提高存儲密度并降低每單位容量的成本�
  � TSOP 封裝形式使其易于集成到各種嵌入式系統(tǒng)�,同�(shí)保持較低的功耗水平,適用于移�(dòng)�(shè)備或?qū)δ苄б筝^高的場景�
  此外,該芯片具有良好的可靠性和�(wěn)定�,即使經(jīng)過多次擦寫循�(huán)后仍能保持較高的�(shù)�(jù)完整性�

�(yīng)�

H9TQ64A8GTBCUR-KUM 主要用于消費(fèi)級和工業(yè)級存儲產(chǎn)品中,包括但不限于:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD�
  2. 嵌入式存儲模塊(� eMMC � UFS�
  3. �(nèi)存卡(SD �、MicroSD 卡等�
  4. �(jiān)控錄像存儲設(shè)�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄功能
  6. 智能家居和物�(lián)�(wǎng)�(shè)備中的本地存儲需�

h9tq64a8gtbcur-kum推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)