時間：2024/4/29 16:51:10
閱讀：191
HCM3043-QFN48使用高性能 32 位微控制器(MCU)，內(nèi)嵌三相半橋柵極驅(qū)動器和線性穩(wěn)壓器。MCU 集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC 以及集成了比較器、運(yùn)放、內(nèi)置高性能 PWM 定時器、多路 UART、SPI、I2C 等豐富的通訊外設(shè)，內(nèi)建 AES、TRNG 等信息安全模塊，具有高整合度、高抗干擾、高可靠性的特點。MCU 內(nèi)核采用 Cortex-M0+ 內(nèi)核，配合成熟的 Keil & IAR 調(diào)試開發(fā)軟件，支持 C 語言及匯編語言，匯編指令。
內(nèi)建 LDO 線性穩(wěn)壓器提供 5V 電壓，適合為 MCU 和外部組件供電。HCM3043-QFN48產(chǎn)品 LDO 輸入電壓為 5.5V ~ 15V/5.5V ~ 25V，Gate Driver 最大汲出/汲入電流為 1.0A，三相半橋柵極驅(qū)動器內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產(chǎn)生損害，芯片內(nèi)部集成了欠壓鎖定電路來阻止該現(xiàn)象發(fā)生。
先進(jìn)的高壓 BCD 制程和內(nèi)置共模噪聲消除技術(shù)使得高邊驅(qū)動器在高 dv/dt 噪聲環(huán)境能穩(wěn)定工作，并且使芯片具有寬范的負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力。為了延長電池的使用時間，可以通過對 ENB 引腳的控制使芯片能進(jìn)入到低消耗電流的待機(jī)模式。
柵極驅(qū)動器 (GATE DRIVER)：
– 內(nèi)部集成 45V 三相半橋高邊和低邊驅(qū)動器
– 內(nèi)置了死區(qū)時間
– 內(nèi)置直通保護(hù)
– 高邊和低邊驅(qū)動器內(nèi)置欠壓鎖定
– 兼容 3.3V, 5V,15V 三種邏輯電平
– ENB 引腳控制進(jìn)入到待機(jī)模式
– 驅(qū)動器汲出/汲入電流：1A/1A
– 死區(qū)時間：0.5μs(typ.)
– 優(yōu)秀 dv/dt 共模噪聲消除電路
– 具有負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力
– 低 di/dt 柵極驅(qū)動特性，更好的 EMI 性能
線性穩(wěn)壓器 (LDO)：
– 低功耗：2.5uA(Typ.)
– 最大輸出電流：30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
– 低漏電壓：200mV@50mA (Vout=5V)
– 電 壓輸 入范 圍： 5.5V~ 25V ( Sensor less )/
5.5V~15V(Hall)
– 輸出電壓范圍：5.0V
– 高精度：±2%
– 輸出電流限制：30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
48MHz Cortex-M0+ 32 位 CPU 平臺
| 商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | HDSC(華大) |
| 封裝 | QFN-48 | 包裝 | 托盤 |
HCM3043-QFN48原理圖
HCM3043-QFN48引腳圖
HCM3043-QFN48封裝
HCM3043-QFN48絲印
