HCM3043-QFN48使用高性能 32 位微控制�(MCU),內(nèi)嵌三相半橋柵極驅(qū)動器和線性穩(wěn)壓器。MCU 集成 12 � 1M sps 高精� SARADC 以及集成了比較器、運(yùn)�、內(nèi)置高性能 PWM 定時�、多� UART、SPI、I2C 等豐富的通訊外設(shè),內(nèi)� AES、TRNG 等信息安全模�,具有高整合�、高抗干�、高可靠性的特點。MCU �(nèi)核采� Cortex-M0+ �(nèi)核,配合成熟� Keil & IAR �(diào)試開�(fā)軟件,支� C 語言及匯編語言,匯編指��
�(nèi)� LDO 線性穩(wěn)壓器提供 5V 電壓,適合為 MCU 和外部組件供�。HCM3043-QFN48�(chǎn)� LDO 輸入電壓� 5.5V ~ 15V/5.5V ~ 25V,Gate Driver 最大汲�/汲入電流� 1.0A,三相半橋柵極驅(qū)動器�(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保�(hù),非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產(chǎn)生損�,芯片內(nèi)部集成了欠壓鎖定電路來阻止該�(xiàn)象發(fā)��
先�(jìn)的高� BCD 制程和內(nèi)置共模噪聲消除技�(shù)使得高邊�(qū)動器在高 dv/dt 噪聲�(huán)境能�(wěn)定工�,并且使芯片具有寬范的負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力。為了延長電池的使用時間,可以通過� ENB 引腳的控制使芯片能�(jìn)入到低消耗電流的待機(jī)模式�
柵極�(qū)動器 (GATE DRIVER)�
� �(nèi)部集� 45V 三相半橋高邊和低邊驅(qū)動器
� �(nèi)置了死區(qū)時間
� �(nèi)置直通保�(hù)
� 高邊和低邊驅(qū)動器�(nèi)置欠壓鎖�
� 兼容 3.3V, 5V,15V 三種邏輯電平
� ENB 引腳控制�(jìn)入到待機(jī)模式
� �(qū)動器汲出/汲入電流�1A/1A
� 死區(qū)時間�0.5μs(typ.)
� �(yōu)秀 dv/dt 共模噪聲消除電路
� 具有�(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力
� � di/dt 柵極�(qū)動特性,更好� EMI 性能
線性穩(wěn)壓器 (LDO)�
� 低功耗:2.5uA(Typ.)
� 最大輸出電流:30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
� 低漏電壓�200mV@50mA (Vout=5V)
� � 壓輸 入范 圍: 5.5V~ 25V ( Sensor less )/
5.5V~15V(Hall)
� 輸出電壓范圍�5.0V
� 高精度:±2%
� 輸出電流限制�30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
48MHz Cortex-M0+ 32 � CPU 平臺
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | HDSC(華大) |
封裝 | QFN-48 | 包裝 | 托盤 |
HCM3043-QFN48原理�
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