HCNW2211-500E是一款高性能的氮化鎵(GaN)功率晶體管,專為高頻、高效率�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的GaN技�(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,廣泛適用于電源管理、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)��
HCNW2211-500E通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)要求和增�(qiáng)熱管理能力,確保了在高功率密度環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�。其封裝形式兼容行業(yè)�(biāo)�(zhǔn),便于系�(tǒng)集成和升�(jí)�
型號(hào):HCNW2211-500E
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:50mΩ(典型值)
柵極閾值電壓:2.5V�4.5V
輸入電容�1200pF(典型值)
反向恢復(fù)電荷:無(由于GaN材料特性)
工作溫度范圍�-55℃~+150�
封裝形式:TO-247
HCNW2211-500E的核心優(yōu)勢在于其采用的氮化鎵技�(shù),使其具備以下顯著特�(diǎn)�
1. 高開�(guān)速度:得益于GaN材料的優(yōu)異電子遷移率,該器件支持高達(dá)幾兆赫茲的開�(guān)頻率,從而大幅減少磁性元件體積并提升整體效率�
2. 低導(dǎo)通電阻:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,HCNW2211-500E具有更低的導(dǎo)通電�,在高電流應(yīng)用中可顯著降低功��
3. 零反向恢�(fù)損耗:由于GaN晶體管沒有體二極管效�(yīng),因此消除了反向恢復(fù)損�,�(jìn)一步提升了效率�
4. 小型化與高可靠性:其緊湊的封裝�(shè)�(jì)�(jié)合優(yōu)秀的散熱性能,非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場��
5. 寬廣的工作溫度范圍:能夠在極端溫度條件下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
HCNW2211-500E適用于多種高效率電力�(zhuǎn)換場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):如AC-DC適配�、USB-PD快充��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高效電�(jī)控制��
3. 通信電源:基站電源模塊、數(shù)�(jù)中心電源管理系統(tǒng)�
4. 可再生能源:太陽能逆變器、儲(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換電��
5. 汽車電子:電�(dòng)車車載充電器(OBC�、DC-DC�(zhuǎn)換器��
憑借其高性能指標(biāo)和廣泛的適用�,HCNW2211-500E已成為現(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��
HCNW2211-650E
HCNW2210-500E