HGK3DF562MA3BW(2KV562M)是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高電壓和大電流場�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。其額定電壓�2kV,額定電流為562A(峰值),適用于工業(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、不間斷電源(UPS)以及新能源等領(lǐng)��
該型號以卓越的電氣性能和可靠性著稱,能夠有效降低系統(tǒng)的能量損耗并提高效率�
類型:MOSFET
額定電壓�2000V
額定電流�562A(峰值)
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�280nC(最大值)
輸入電容�3500pF
功耗:150W(最大值)
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+175�
HGK3DF562MA3BW具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能,有助于提升系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期�(yùn)��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了抗靜電能��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
這些特性使得HGK3DF562MA3BW在高壓大電流場景中表�(xiàn)出色,是許多工業(yè)級應(yīng)用的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源�(zhuǎn)換器和逆變��
2. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
3. 不間斷電源(UPS)設(shè)�(jì)�
4. 新能源汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 太陽能逆變器和�(fēng)能發(fā)電設(shè)��
6. 其他需要高電壓、大電流處理能力的電子電路�
HGK3DF562MA3BW憑借其�(qiáng)大的性能,成為上述應(yīng)用中的關(guān)鍵元器件�
HGM3DF562MA3BW, 2KV562M-HGK, HGK3DS562MA3BW