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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HGT1S20N36G3VLSR4737

HGT1S20N36G3VLSR4737 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 16:44:33 查看 閱讀�20

HGT1S20N36G3VLSR4737 是一款高性能� N 灃道通態(tài)場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于多種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制程工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的效�,適合用于高頻率和高功率密度的應(yīng)用場景�
  這款 MOSFET 通常被設(shè)計在 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配�、電�(jī)�(qū)動電路以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-220 封裝,能夠提供良好的散熱性能�

參數(shù)

型號:HGT1S20N36G3VLSR4737
  類型:N 沕道通態(tài) MOSFET
  最大漏源電� (Vds)�36V
  最大柵源電� (Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流 (Id)�20A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�3.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  總柵極電� (Qg)�38nC
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-220

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用場景下降低功��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)電源�(shè)��
  3. 較高的漏極電� Id 和漏源電� Vds,確保了器件在各種條件下的可靠��
  4. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)工業(yè)及汽車環(huán)境需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  6. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)抗干擾能��
  7. 高效熱管理設(shè)計,�(yōu)化散熱性能�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 各種電機(jī)�(qū)動和控制電路中的開關(guān)元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)�(shè)備和消費電子�(chǎn)品的電源管理模塊混合動力汽車中的輔助功率系統(tǒng)�
  7. 光伏逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)��

替代型號

IRFZ44N
  FDP15N30
  STP20NF36L

hgt1s20n36g3vlsr4737推薦供應(yīng)� 更多>

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