HGT1S20N36G3VLSR4737 是一款高性能� N 灃道通態(tài)場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于多種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制程工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的效�,適合用于高頻率和高功率密度的應(yīng)用場景�
這款 MOSFET 通常被設(shè)計在 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配�、電�(jī)�(qū)動電路以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-220 封裝,能夠提供良好的散熱性能�
型號:HGT1S20N36G3VLSR4737
類型:N 沕道通態(tài) MOSFET
最大漏源電� (Vds)�36V
最大柵源電� (Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流 (Id)�20A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�3.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
總柵極電� (Qg)�38nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-220
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用場景下降低功��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)電源�(shè)��
3. 較高的漏極電� Id 和漏源電� Vds,確保了器件在各種條件下的可靠��
4. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)工業(yè)及汽車環(huán)境需��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)抗干擾能��
7. 高效熱管理設(shè)計,�(yōu)化散熱性能�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 各種電機(jī)�(qū)動和控制電路中的開關(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)�(shè)備和消費電子�(chǎn)品的電源管理模塊混合動力汽車中的輔助功率系統(tǒng)�
7. 光伏逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)��
IRFZ44N
FDP15N30
STP20NF36L