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HGT1S20N60C3S9A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 10:26:38 查看 閱讀�26

HGT1S20N60C3S9A是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,其封裝形式通常為TO-220或類似的表面貼裝形式,具體取決于制造商的設(shè)�(jì)需求。HGT1S20N60C3S9A的額定電壓和電流參數(shù)使其適合用于中高功率的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:250mΩ
  柵極電荷�45nC
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),可有效減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用環(huán)�,減少開�(guān)損耗�
  3. 良好的熱性能,有助于在高功率密度�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
  6. 可靠性高,支持長�(shí)間連續(xù)�(yùn)行,適用于工�(yè)�(jí)�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)��
  5. 各類工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

HGT1S20N60C3,
  HGT1S20N60,
  IRFZ44N,
  FDP18N60

hgt1s20n60c3s9a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hgt1s20n60c3s9a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�1.8V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)45A
  • 功率 - 最�164W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263AB
  • 包裝帶卷 (TR)