HGTG27N120BN 是一款高壓功� N 溝道 MOSFET,適用于高電壓和大電流的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和高耐壓能力。其封裝形式通常� TO-247 � D2PAK,適合工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用環(huán)��
這款芯片的主要用途是在電力電子設(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。例�,它可以用于�(kāi)�(guān)電源(SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。通過(guò)�(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),HGTG27N120BN 能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定工�,滿足嚴(yán)苛的工作條件�
額定電壓�1200V
額定電流�27A
�(dǎo)通電阻:95mΩ(典型值)
柵極電荷�68nC(典型值)
輸入電容�1320pF(典型值)
最大功耗:270W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 高額定電壓(1200V),能夠承受較高的反向電�,適用于高壓系統(tǒng)�
2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為 95mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)特性,支持高頻操作,減少開(kāi)�(guān)損耗�
4. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒�,能夠在�(guò)載或異常條件下保�(hù)電路�
5. 采用溝槽� MOSFET 技�(shù),提升了單位面積�(nèi)的電流承載能��
6. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)極端�(huán)境下的使用需��
7. 封裝形式�(jiān)固耐用,便于散熱設(shè)�(jì)�
HGTG27N120BN 廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理的�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主功率開(kāi)�(guān)管,用于�(shí)�(xiàn) AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
2. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�,用作功率開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于驅(qū)�(dòng)各種類型的電�(jī),例如直流無(wú)刷電�(jī)(BLDC)�
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV):�(yīng)用于�(chē)載充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及牽引逆變器�
5. 工業(yè)�(shè)備:如焊接機(jī)、工�(yè)自動(dòng)化控制器中的功率模塊�
6. 高壓大電流電路:用于需要高電壓和大電流處理能力的特殊應(yīng)用環(huán)��
HGTG27N120BD, IRGB27N120DPBF, C2M0075120D