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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HGTG27N120BN

HGTG27N120BN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 18:34:25 查看 閱讀�22

HGTG27N120BN 是一款高壓功� N 溝道 MOSFET,適用于高電壓和大電流的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和高耐壓能力。其封裝形式通常� TO-247 � D2PAK,適合工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用環(huán)��
  這款芯片的主要用途是在電力電子設(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。例�,它可以用于�(kāi)�(guān)電源(SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。通過(guò)�(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),HGTG27N120BN 能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定工�,滿足嚴(yán)苛的工作條件�

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�27A
  �(dǎo)通電阻:95mΩ(典型值)
  柵極電荷�68nC(典型值)
  輸入電容�1320pF(典型值)
  最大功耗:270W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

1. 高額定電壓(1200V),能夠承受較高的反向電�,適用于高壓系統(tǒng)�
  2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為 95mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特性,支持高頻操作,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  4. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒�,能夠在�(guò)載或異常條件下保�(hù)電路�
  5. 采用溝槽� MOSFET 技�(shù),提升了單位面積�(nèi)的電流承載能��
  6. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)極端�(huán)境下的使用需��
  7. 封裝形式�(jiān)固耐用,便于散熱設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

HGTG27N120BN 廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理的�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主功率開(kāi)�(guān)管,用于�(shí)�(xiàn) AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
  2. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�,用作功率開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于驅(qū)�(dòng)各種類型的電�(jī),例如直流無(wú)刷電�(jī)(BLDC)�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV):�(yīng)用于�(chē)載充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及牽引逆變器�
  5. 工業(yè)�(shè)備:如焊接機(jī)、工�(yè)自動(dòng)化控制器中的功率模塊�
  6. 高壓大電流電路:用于需要高電壓和大電流處理能力的特殊應(yīng)用環(huán)��

替代型號(hào)

HGTG27N120BD, IRGB27N120DPBF, C2M0075120D

hgtg27n120bn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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hgtg27n120bn參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2.7V @ 15V�27A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)72A
  • 功率 - 最�500W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247
  • 包裝管件