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HGTP3N60A4 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 9:46:33 查看 閱讀:27

HGTP3N60A4是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關和功率轉換應用。該器件采用了先進的制造工藝,具備較低的導通電阻和較高的電流處理能力。
  其封裝形式為TO-220,能夠有效地進行散熱管理,廣泛應用于各種工業(yè)和消費類電子設備中。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:3.5A
  導通電阻(典型值):4.5Ω
  柵極-源極電壓:±20V
  功耗:105W
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

HGTP3N60A4具有高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關速度的特點。這些特性使其非常適合用于需要高效率和可靠性的場合。
  此外,該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力,能夠在嚴苛的工作條件下保持性能。
  由于其封裝設計合理,能夠方便地集成到各種電路系統(tǒng)中,并且易于安裝和維護。

應用

該MOSFET常用于開關電源、直流電機驅動、逆變器、不間斷電源(UPS)、電磁閥驅動等場景。
  在開關電源中,它可以用作主開關管或同步整流管;在電機控制領域,它可以實現(xiàn)高效的PWM調制功能。
  另外,在一些要求小型化但又需要較大功率輸出的應用中也非常適用。

替代型號

IRF840, STP17N60C

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hgtp3n60a4參數(shù)

  • 標準包裝400
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)2.7V @ 15V,3A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)17A
  • 功率 - 最大70W
  • 輸入類型標準型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱HGTP3N60A4_NLHGTP3N60A4_NL-ND