HGTP3N60A4是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關和功率轉換應用。該器件采用了先進的制造工藝,具備較低的導通電阻和較高的電流處理能力。
其封裝形式為TO-220,能夠有效地進行散熱管理,廣泛應用于各種工業(yè)和消費類電子設備中。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:3.5A
導通電阻(典型值):4.5Ω
柵極-源極電壓:±20V
功耗:105W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
HGTP3N60A4具有高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關速度的特點。這些特性使其非常適合用于需要高效率和可靠性的場合。
此外,該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力,能夠在嚴苛的工作條件下保持性能。
由于其封裝設計合理,能夠方便地集成到各種電路系統(tǒng)中,并且易于安裝和維護。
該MOSFET常用于開關電源、直流電機驅動、逆變器、不間斷電源(UPS)、電磁閥驅動等場景。
在開關電源中,它可以用作主開關管或同步整流管;在電機控制領域,它可以實現(xiàn)高效的PWM調制功能。
另外,在一些要求小型化但又需要較大功率輸出的應用中也非常適用。
IRF840, STP17N60C