HGTP3N60A4是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關和功率轉換應�。該器件采用了先進的制造工藝,具備較低的導通電阻和較高的電流處理能��
其封裝形式為TO-220,能夠有效地進行散熱管理,廣泛應用于各種工業(yè)和消費類電子設備��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.5A
導通電阻(典型值)�4.5Ω
柵極-源極電壓:�20V
功耗:105W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
HGTP3N60A4具有高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關速度的特�。這些特性使其非常適合用于需要高效率和可靠性的場合�
此外,該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能�,能夠在嚴苛的工作條件下保持性能�
由于其封裝設計合�,能夠方便地集成到各種電路系�(tǒng)中,并且易于安裝和維��
該MOSFET常用于開關電源、直流電機驅動、逆變�、不間斷電源(UPS)、電磁閥驅動等場��
在開關電源中,它可以用作主開關管或同步整流管;在電機控制領域,它可以實現(xiàn)高效的PWM調制功能�
另外,在一些要求小型化但又需要較大功率輸出的應用中也非常適用�
IRF840, STP17N60C