時間：2025/4/29 9:46:33
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HGTP3N60A4是一種N溝道增強型功率MOSFET，適用于高頻開關和功率轉換應用。該器件采用了先進的制造工藝，具備較低的導通電阻和較高的電流處理能力。
其封裝形式為TO-220，能夠有效地進行散熱管理，廣泛應用于各種工業(yè)和消費類電子設備中。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：3.5A
導通電阻（典型值）：4.5Ω
柵極-源極電壓：±20V
功耗：105W
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
HGTP3N60A4具有高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關速度的特點。這些特性使其非常適合用于需要高效率和可靠性的場合。
此外，該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力，能夠在嚴苛的工作條件下保持性能。
由于其封裝設計合理，能夠方便地集成到各種電路系統(tǒng)中，并且易于安裝和維護。
該MOSFET常用于開關電源、直流電機驅動、逆變器、不間斷電源(UPS)、電磁閥驅動等場景。
在開關電源中，它可以用作主開關管或同步整流管；在電機控制領域，它可以實現(xiàn)高效的PWM調制功能。
另外，在一些要求小型化但又需要較大功率輸出的應用中也非常適用。
IRF840, STP17N60C
