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HH15N181J250CT 發(fā)布時間 時間:2025/3/25 9:51:59 查看 閱讀:37

HH15N181J250CT是一款高壓大功率的N溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要應(yīng)用于工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域。該型號采用TO-247封裝形式,具有較高的耐壓能力以及低導通電阻特性,能夠承受較大的電流負載。這款MOSFET適用于開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動以及其他需要高效率電能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:1800V
  最大連續(xù)漏極電流:15A
  導通電阻:1.2Ω
  柵極電荷:55nC
  輸入電容:1200pF
  總耗散功率:250W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

HH15N181J250CT具備高擊穿電壓能力,適合在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。同時其低導通電阻設(shè)計有助于減少能量損耗并提高整體效率。
  此外,該器件還擁有快速開關(guān)速度與優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,從而保證了在高頻操作下的性能表現(xiàn)。另外,它具有較低的柵極電荷,這使得驅(qū)動功耗得以降低,進一步優(yōu)化了系統(tǒng)的能效水平。
  該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準,并且通過了多項可靠性測試,確保長期使用的安全性與可靠性。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛用于各種電力電子設(shè)備中,包括但不限于開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器、電動汽車牽引逆變器、工業(yè)馬達控制電路以及各類電池充電裝置等。憑借出色的電氣特性和堅固耐用的設(shè)計,HH15N181J250CT成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。

替代型號

IXYS IXFN15N180T2, Infineon IKW25S180N5, STMicroelectronics STW13NM180DH

hh15n181j250ct參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格10,000 : ¥0.06913卷帶(TR)
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低損耗,超低 ESR
  • 等級-
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-