HH15N181J250CT是一款高壓大功率的N溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要應(yīng)用于工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域。該型號采用TO-247封裝形式,具有較高的耐壓能力以及低導通電阻特性,能夠承受較大的電流負載。這款MOSFET適用于開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動以及其他需要高效率電能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
最大漏源電壓:1800V
最大連續(xù)漏極電流:15A
導通電阻:1.2Ω
柵極電荷:55nC
輸入電容:1200pF
總耗散功率:250W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
HH15N181J250CT具備高擊穿電壓能力,適合在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。同時其低導通電阻設(shè)計有助于減少能量損耗并提高整體效率。
此外,該器件還擁有快速開關(guān)速度與優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,從而保證了在高頻操作下的性能表現(xiàn)。另外,它具有較低的柵極電荷,這使得驅(qū)動功耗得以降低,進一步優(yōu)化了系統(tǒng)的能效水平。
該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準,并且通過了多項可靠性測試,確保長期使用的安全性與可靠性。
該MOSFET廣泛用于各種電力電子設(shè)備中,包括但不限于開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器、電動汽車牽引逆變器、工業(yè)馬達控制電路以及各類電池充電裝置等。憑借出色的電氣特性和堅固耐用的設(shè)計,HH15N181J250CT成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。
IXYS IXFN15N180T2, Infineon IKW25S180N5, STMicroelectronics STW13NM180DH