時間：2025/3/25 9:51:59
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HH15N181J250CT是一款高壓大功率的N溝道增強型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），主要應(yīng)用于工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域。該型號采用TO-247封裝形式，具有較高的耐壓能力以及低導通電阻特性，能夠承受較大的電流負載。這款MOSFET適用于開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動以及其他需要高效率電能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：1800V
最大連續(xù)漏極電流：15A
導通電阻：1.2Ω
柵極電荷：55nC
輸入電容：1200pF
總耗散功率：250W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
HH15N181J250CT具備高擊穿電壓能力，適合在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。同時其低導通電阻設(shè)計有助于減少能量損耗并提高整體效率。
此外，該器件還擁有快速開關(guān)速度與優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，從而保證了在高頻操作下的性能表現(xiàn)。另外，它具有較低的柵極電荷，這使得驅(qū)動功耗得以降低，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)的能效水平。
該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準，并且通過了多項可靠性測試，確保長期使用的安全性與可靠性。
該MOSFET廣泛用于各種電力電子設(shè)備中，包括但不限于開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器、電動汽車牽引逆變器、工業(yè)馬達控制電路以及各類電池充電裝置等。憑借出色的電氣特性和堅固耐用的設(shè)計，HH15N181J250CT成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。
IXYS IXFN15N180T2, Infineon IKW25S180N5, STMicroelectronics STW13NM180DH
