HH18N121G101CT是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻、高效功率轉換應�。該器件采用先進的GaN-on-Si工藝制�,具備出色的開關性能和低導通電阻特性,能夠顯著提升電源系統(tǒng)的效率和功率密度�
HH18N121G101CT設計用于工業(yè)和消費類應用中的DC-DC轉換�、AC-DC轉換器、電機驅動器以及可再生能源系�(tǒng)等場��
額定電壓�650V
額定電流�18A
導通電阻:121mΩ
柵極電荷�70nC
最大工作結溫:175°C
封裝類型:TO-247-4L
HH18N121G101CT的核心優(yōu)勢在于其卓越的高頻特性和低損耗性能。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,該器件具有更低的導通電阻和更快的開關速度,從而減少傳導損耗和開關損耗�
此外,HH18N121G101CT具備較高的擊穿電壓和熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運�。其增強型(E-mode)結構簡化了驅動電路設計,并支持零電壓開關(ZVS)拓�,進一步提高效率�
該芯片還具有良好的抗電磁干擾能力,適合復雜電磁環(huán)境下的應用需求�
- 開關電源(SMPS�
- 服務器和通信設備中的電源模塊
- 新能源汽車車載充電器(OBC�
- 光伏逆變器及儲能系統(tǒng)
- 工業(yè)電機驅動和伺服控制器
- 快速充電適配器和其他消費類電子產品
GXT18N65G101, NH18N120G095CT