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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > HH18N121G101CT

HH18N121G101CT 發(fā)布時間 時間�2025/3/25 9:59:20 查看 閱讀�35

HH18N121G101CT是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻、高效功率轉換應�。該器件采用先進的GaN-on-Si工藝制�,具備出色的開關性能和低導通電阻特性,能夠顯著提升電源系統(tǒng)的效率和功率密度�
  HH18N121G101CT設計用于工業(yè)和消費類應用中的DC-DC轉換�、AC-DC轉換器、電機驅動器以及可再生能源系�(tǒng)等場��

參數

額定電壓�650V
  額定電流�18A
  導通電阻:121mΩ
  柵極電荷�70nC
  最大工作結溫:175°C
  封裝類型:TO-247-4L

特�

HH18N121G101CT的核心優(yōu)勢在于其卓越的高頻特性和低損耗性能。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,該器件具有更低的導通電阻和更快的開關速度,從而減少傳導損耗和開關損耗�
  此外,HH18N121G101CT具備較高的擊穿電壓和熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運�。其增強型(E-mode)結構簡化了驅動電路設計,并支持零電壓開關(ZVS)拓�,進一步提高效率�
  該芯片還具有良好的抗電磁干擾能力,適合復雜電磁環(huán)境下的應用需求�

應用

- 開關電源(SMPS�
  - 服務器和通信設備中的電源模塊
  - 新能源汽車車載充電器(OBC�
  - 光伏逆變器及儲能系統(tǒng)
  - 工業(yè)電機驅動和伺服控制器
  - 快速充電適配器和其他消費類電子產品

替代型號

GXT18N65G101, NH18N120G095CT

hh18n121g101ct參數

  • 現有數量0現貨查看交期
  • 價格4,000 : �0.11265卷帶(TR�
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q 值,低損�,超� ESR
  • 等級-
  • 應用RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"�0.87mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-