HH18N221G500CT是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻、高效和高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能和熱管理能力。其主要�(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)頻率:超�(guò)2MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
HH18N221G500CT具有非常低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而實(shí)�(xiàn)了高效的功率�(zhuǎn)�。其高開�(guān)頻率使得�(shè)�(jì)更小的磁性元件成為可�,�(jìn)而降低整體系�(tǒng)的體積和重量�
該器件還具備出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下依然能夠�(wěn)定運(yùn)�。此外,由于采用了GaN材料,它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更低的損耗,非常適合�(duì)效率要求極高的場(chǎng)��
該芯片廣泛用于服�(wù)器電�、電�(dòng)汽車車載充電�、光伏逆變�、無(wú)線充電設(shè)備以及其他需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)域。同�(shí),它也適用于電信基礎(chǔ)�(shè)施中的DC-DC�(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)��
HH18N221G300CT
HH18N221G400CT