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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HH18N221G500CT

HH18N221G500CT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/25 9:56:08 查看 閱讀�47

HH18N221G500CT是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻、高效和高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能和熱管理能力。其主要�(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)頻率:超�(guò)2MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

HH18N221G500CT具有非常低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而實(shí)�(xiàn)了高效的功率�(zhuǎn)�。其高開�(guān)頻率使得�(shè)�(jì)更小的磁性元件成為可�,�(jìn)而降低整體系�(tǒng)的體積和重量�
  該器件還具備出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下依然能夠�(wěn)定運(yùn)�。此外,由于采用了GaN材料,它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更低的損耗,非常適合�(duì)效率要求極高的場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛用于服�(wù)器電�、電�(dòng)汽車車載充電�、光伏逆變�、無(wú)線充電設(shè)備以及其他需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)域。同�(shí),它也適用于電信基礎(chǔ)�(shè)施中的DC-DC�(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)��

替代型號(hào)

HH18N221G300CT
  HH18N221G400CT

hh18n221g500ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hh18n221g500ct參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�4,000 : �0.11265卷帶(TR�
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損耗,超低 ESR
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"�0.87mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-