HH18N4R3B101LT是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和功率密度�
這款晶體管在�(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了高溫環(huán)境下的穩(wěn)定�,適合對(duì)散熱要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��
型號(hào):HH18N4R3B101LT
類型:GaN功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
柵極電荷�7nC(最大值)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-247-3
HH18N4R3B101LT的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少開(kāi)�(guān)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
3. 高擊穿電壓確保了其在高壓�(yīng)用中的可靠��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的功率密度�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
HH18N4R3B101LT適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高頻AC-DC�(kāi)�(guān)電源,如服務(wù)器電源和通信電源�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,包括電�(dòng)汽車充電模塊�
3. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
4. LED照明�(qū)�(dòng)電源,提供高效率和小型化解決方案�
5. 太陽(yáng)能逆變器中作為�(guān)鍵的功率�(kāi)�(guān)元件�
6. 其他需要高性能功率管理的應(yīng)用領(lǐng)��
HVN4R3B101LQ, HH18N6R5B101LT