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HH18N4R3B101LT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:05:59 查看 閱讀�29

HH18N4R3B101LT是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和功率密度�
  這款晶體管在�(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了高溫環(huán)境下的穩(wěn)定�,適合對(duì)散熱要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��

參數(shù)

型號(hào):HH18N4R3B101LT
  類型:GaN功率晶體�
  額定電壓�650V
  額定電流�20A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
  柵極電荷�7nC(最大值)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247-3

特�

HH18N4R3B101LT的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少開(kāi)�(guān)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  3. 高擊穿電壓確保了其在高壓�(yīng)用中的可靠��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的功率密度�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��

�(yīng)�

HH18N4R3B101LT適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 高頻AC-DC�(kāi)�(guān)電源,如服務(wù)器電源和通信電源�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,包括電�(dòng)汽車充電模塊�
  3. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
  4. LED照明�(qū)�(dòng)電源,提供高效率和小型化解決方案�
  5. 太陽(yáng)能逆變器中作為�(guān)鍵的功率�(kāi)�(guān)元件�
  6. 其他需要高性能功率管理的應(yīng)用領(lǐng)��

替代型號(hào)

HVN4R3B101LQ, HH18N6R5B101LT

hh18n4r3b101lt參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�4,000 : �0.10343卷帶(TR�
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容4.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-