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HMC1060LP3E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 9:24:20 查看 閱讀�11

HMC1060LP3E 是一款由 Analog Devices (ADI) 公司推出� GaAs MESFET 單刀雙擲�(kāi)�(guān) (SPDT Switch),采� 3x3 mm SMT 封裝。該芯片�(shè)�(jì)用于射頻和微波應(yīng)�,工作頻率范圍為 DC � 28 GHz,非常適合需要高性能、寬帶寬和低插入損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  該器件內(nèi)置片�(nèi)匹配電路,可�(jiǎn)化外部設(shè)�(jì),并且支持正極或�(fù)極控制電�,使得其在各種射頻系�(tǒng)中具有高度靈活�。HMC1060LP3E 的高隔離度和低插入損耗特性使其成為測(cè)試設(shè)備、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電以及軍事通信系統(tǒng)中的理想選擇�

參數(shù)

頻率范圍:DC � 28 GHz
  插入損耗:0.7 dB(典型值)
  隔離度:25 dB(典型值)
  回波損耗:15 dB(典型值)
  輸入功率(P1dB):+26 dBm(典型值)
  控制電壓�+5V � -5V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�3x3 mm LP3E 封裝

特�

HMC1060LP3E 提供了卓越的射頻性能,包括低插入損耗和高隔離度,能夠在廣泛的頻率范圍內(nèi)保持�(wěn)定的表現(xiàn)�
  此外,這款 SPDT �(kāi)�(guān)采用� GaAs MESFET 技�(shù),確保了高線性度和大功率處理能力。它的寬帶設(shè)�(jì)使其適用于多種射頻和微波�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)�(nèi)部匹配網(wǎng)�(luò)減少了對(duì)外部元件的需�,從而簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�
  HMC1060LP3E 支持雙極性控制電� (+5V � -5V),為用戶提供更多靈活�,并且其緊湊的封裝尺寸有助于節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

HMC1060LP3E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 軍事和航空航天通信系統(tǒng)
  - �(cè)試與�(cè)量設(shè)�
  - �(diǎn)�(duì)�(diǎn)和點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)�(wú)線電
  - 微波鏈路
  - 光纖�(wǎng)�(luò)
  - 工業(yè)科學(xué)�(yī)� (ISM) �(yīng)�
  - 寬帶基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)�

替代型號(hào)

HMC1061LP3E,HMC-SW1060

hmc1060lp3e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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hmc1060lp3e資料 更多>

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hmc1060lp3e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 輸出配置
  • 輸出類型可調(diào)�
  • �(wěn)壓器�(shù)4
  • 電壓 - 輸入(最大值)5.6V
  • 電壓 - 輸出(最小�/固定�1.8V
  • 電壓 - 輸出(最大值)5.2V
  • 電壓降(最大值)-
  • 電流 - 輸出100mA�50mA�300mA�500mA
  • 電流 - 靜態(tài) (Iq)2.1 mA
  • 電流 - 供電(最大值)-
  • PSRR80dB ~ 52dB�1kHz ~ 10MHz�
  • 控制特�使能
  • 保護(hù)功能超溫
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼16-VFQFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封�16-QFN�3x3�