HMC1060LP3E 是一款由 Analog Devices (ADI) 公司推出� GaAs MESFET 單刀雙擲�(kāi)�(guān) (SPDT Switch),采� 3x3 mm SMT 封裝。該芯片�(shè)�(jì)用于射頻和微波應(yīng)�,工作頻率范圍為 DC � 28 GHz,非常適合需要高性能、寬帶寬和低插入損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
該器件內(nèi)置片�(nèi)匹配電路,可�(jiǎn)化外部設(shè)�(jì),并且支持正極或�(fù)極控制電�,使得其在各種射頻系�(tǒng)中具有高度靈活�。HMC1060LP3E 的高隔離度和低插入損耗特性使其成為測(cè)試設(shè)備、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電以及軍事通信系統(tǒng)中的理想選擇�
頻率范圍:DC � 28 GHz
插入損耗:0.7 dB(典型值)
隔離度:25 dB(典型值)
回波損耗:15 dB(典型值)
輸入功率(P1dB):+26 dBm(典型值)
控制電壓�+5V � -5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�3x3 mm LP3E 封裝
HMC1060LP3E 提供了卓越的射頻性能,包括低插入損耗和高隔離度,能夠在廣泛的頻率范圍內(nèi)保持�(wěn)定的表現(xiàn)�
此外,這款 SPDT �(kāi)�(guān)采用� GaAs MESFET 技�(shù),確保了高線性度和大功率處理能力。它的寬帶設(shè)�(jì)使其適用于多種射頻和微波�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)�(nèi)部匹配網(wǎng)�(luò)減少了對(duì)外部元件的需�,從而簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�
HMC1060LP3E 支持雙極性控制電� (+5V � -5V),為用戶提供更多靈活�,并且其緊湊的封裝尺寸有助于節(jié)� PCB 空間�
HMC1060LP3E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 軍事和航空航天通信系統(tǒng)
- �(cè)試與�(cè)量設(shè)�
- �(diǎn)�(duì)�(diǎn)和點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)�(wú)線電
- 微波鏈路
- 光纖�(wǎng)�(luò)
- 工業(yè)科學(xué)�(yī)� (ISM) �(yīng)�
- 寬帶基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)�
HMC1061LP3E,HMC-SW1060