HMC1122LP4METR 是一款高性能、低功耗的 GaAs pHEMT MMIC 雙單刀雙擲開關(guān) (SPDT) 芯片,專為高頻射頻和微波�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn)的無鉛表面貼裝封裝技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)高線性度和低插入損耗的信號(hào)切換,廣泛適用于通信系統(tǒng)、測(cè)試設(shè)備和雷達(dá)等領(lǐng)域的高頻信號(hào)路由控制�
該芯片在工作頻率范圍�(nèi)的性能表現(xiàn)�(yōu)�,并且能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定的開關(guān)特��
型號(hào):HMC1122LP4METR
類型:雙 SPDT 開關(guān)
工藝:GaAs pHEMT MMIC
封裝�4x4 mm 無鉛表面貼裝 (LP4M)
頻率范圍:DC � 26 GHz
插入損耗:0.5 dB(典型值)
隔離度:25 dB(典型值)
輸入功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):+27 dBm
VSWR�1.2:1(典型值)
供電電壓�+3 V � +5 V
靜態(tài)電流�8 mA(每�(gè) FET,在 +3 V 下)
切換�(shí)間:小于 50 ns
工作溫度范圍�-55°C � +105°C
HMC1122LP4METR 的主要特�(diǎn)是其超寬帶寬覆蓋能力,能夠支持從直流� 26 GHz 的頻率范圍。同�(shí),它具備極低的插入損耗(� 0.5 dB�,并提供出色的隔離性能(高�(dá) 25 dB)。此�,該芯片具有較高的線性度和承受功率能力,適合處理高功率射頻信�(hào)。其快速切換時(shí)間和�(duì)多種供電電壓的支持也使其更加靈活和可靠�
HMC1122LP4METR 的設(shè)�(jì)考慮了小型化和高效能的需�,采用了緊湊� 4x4 mm 表面貼裝封裝形式,簡(jiǎn)化了安裝和集成過�。同�(shí),由于其寬泛的工作溫度范�,該芯片能夠在極端環(huán)境條件下正常�(yùn)�,確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定��
HMC1122LP4METR 廣泛�(yīng)用于需要高性能射頻信號(hào)切換的領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 高速無線通信系統(tǒng)中的信號(hào)路由控制
2. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備中的射頻開�(guān)
3. 軍事雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)
4. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線電和�(wèi)星通信
5. 光纖通信中的射頻前端模塊
6. �(yī)療成像和工業(yè)檢測(cè)中的高頻信號(hào)管理
由于其卓越的性能和可靠�,這款芯片成為許多高端射頻�(yīng)用的理想選擇�
HMC1119LP4E, HMC1121LP4E