HMC326MS8G是一款高性能的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)單刀雙擲開關(SPDT),由Analog Devices Inc.(ADI)制�。該器件采用緊湊型MSOP8封裝,適用于要求低插入損�、高隔離度和出色線性度的射頻和微波應用。HMC326MS8G支持的工作頻率范圍為DC�20 GHz,使其成為寬帶通信系統(tǒng)和測試測量設備的理想選擇�
該開關通過TTL兼容控制輸入進行操作,并且在導通狀�(tài)下的插入損耗較�,同時保持較高的隔離性能。其設計無需外部匹配組件,從而簡化了電路設計并減少了整體解決方案的尺��
類型:單刀雙擲開關(SPDT�
封裝:MSOP-8
工作頻率范圍:DC - 20 GHz
插入損耗:0.4 dB(典型�,@10 GHz�
隔離度:25 dB(最小�,@10 GHz�
VSWR�1.5:1(最大值)
電源電壓�+5 V�+3 V
控制輸入:TTL兼容
功率處理能力�27 dBm(典型�,@10 GHz�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
HMC326MS8G具有以下關鍵特性:
1. 高頻率范圍覆蓋從直流�20 GHz,滿足多種寬帶應用需求�
2. 在整個工作頻率范圍內(nèi)提供低插入損耗和高隔離度,確保信號傳輸效��
3. TTL兼容控制輸入簡化了數(shù)字控制邏輯的設計�
4. �(nèi)部集成了所有必要的匹配�(wǎng)�,無需外部元件即可實現(xiàn)最佳性能�
5. 支持+5V�+3V兩種電源電壓選項,增加了靈活��
6. 小尺寸MSOP-8封裝,適合空間受限的應用場景�
7. 工作溫度范圍寬廣,適應各種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運��
HMC326MS8G廣泛應用于以下領域:
1. 寬帶通信系統(tǒng),如蜂窩基礎設施、點對點無線電和�(wèi)星通信�
2. 測試與測量設�,例如信號發(fā)生器、頻譜分析儀和網(wǎng)絡分析儀�
3. 微波無線電和雷達系統(tǒng)�
4. �(yī)療成像和其他需要高性能射頻開關的應用�
5. 光纖通信中的光模塊和收發(fā)��
6. 任何需要在高頻段內(nèi)實現(xiàn)低損耗切換的場合�
HMC373LC3C,HMC372LP4E,HMC393LC3B