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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HMC470LP3E

HMC470LP3E 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 2:19:27 查看 閱讀�15

HMC470LP3E是一款由Analog Devices公司(前身為Hittite Microwave Corporation)生�(chǎn)的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA�。該器件采用3x3 mm QFN封裝,設(shè)計用于微波應(yīng)�,如點對點無線電、衛(wèi)星通信和測試測量設(shè)備。其卓越的增益性能和低噪聲系數(shù)使其成為高頻信號鏈路中的理想選擇�
  此放大器的工作頻率范圍為6�18 GHz,能夠支持多種寬頻帶�(yīng)用需�。由于其高線性度和低功耗特性,HMC470LP3E在需要高動態(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

頻率范圍�6 GHz � 18 GHz
  增益�15.5 dB(典型值)
  噪聲系數(shù)�1.9 dB(典型值)
  輸入回波損耗:15 dB(典型值)
  輸出回波損耗:12 dB(典型值)
  輸出IP3�+36 dBm(典型值)
  電源電壓�+5 V
  工作電流�65 mA(典型值)
  封裝形式�3x3 mm LP3 Leadless Ceramic SMD

特�

HMC470LP3E具有以下顯著特性:
  1. 寬帶操作能力,覆�6�18 GHz的頻率范�,適用于多種射頻和微波應(yīng)��
  2. 高增�,典型值為15.5 dB,有助于提升系統(tǒng)靈敏��
  3. 低噪聲系�(shù),典型值為1.9 dB,確保接收機鏈路中的�(yōu)異信噪比表現(xiàn)�
  4. �(yōu)秀的線性度,輸出三階截獲點(OIP3)高�(dá)+36 dBm,適合高動態(tài)范圍場景�
  5. 小型化設(shè)計,采用緊湊�3x3 mm封裝,便于集成到空間受限的電路板上�
  6. 單電源供電(+5 V�,簡化了電源管理方案�
  7. 良好的輸入和輸出匹配,分別達(dá)�15 dB�12 dB的回波損�,減少反射損��
  8. 在整個溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使��

�(yīng)�

HMC470LP3E適用于廣泛的射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 點對點和點對多點無線電通信系統(tǒng)�
  2. �(wèi)星地面站接收�(shè)備�
  3. 軍用和商用雷�(dá)系統(tǒng)�
  4. 測試與測量儀器,例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
  5. 微波鏈路和回傳網(wǎng)�(luò)�
  6. 無線基礎(chǔ)�(shè)�,如蜂窩基站和中繼器�
  7. 其他需要高增益、低噪聲和寬帶操作的射頻�(yīng)��

替代型號

HMC471LP3E, HMC-C029

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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hmc470lp3e參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別RF/IF � RFID
  • 家庭衰減�
  • 系列-
  • 衰減�1dB ~ 31dB
  • 容差-
  • 頻率范圍0 ~ 3GHz
  • 功率(瓦特)-
  • 阻抗50 歐姆
  • 封裝/外殼16-VQFN 裸露焊盤
  • 其它名稱1127-1046-6