HMC470LP3E是一款由Analog Devices公司(前身為Hittite Microwave Corporation)生�(chǎn)的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA�。該器件采用3x3 mm QFN封裝,設(shè)計用于微波應(yīng)�,如點對點無線電、衛(wèi)星通信和測試測量設(shè)備。其卓越的增益性能和低噪聲系數(shù)使其成為高頻信號鏈路中的理想選擇�
此放大器的工作頻率范圍為6�18 GHz,能夠支持多種寬頻帶�(yīng)用需�。由于其高線性度和低功耗特性,HMC470LP3E在需要高動態(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
頻率范圍�6 GHz � 18 GHz
增益�15.5 dB(典型值)
噪聲系數(shù)�1.9 dB(典型值)
輸入回波損耗:15 dB(典型值)
輸出回波損耗:12 dB(典型值)
輸出IP3�+36 dBm(典型值)
電源電壓�+5 V
工作電流�65 mA(典型值)
封裝形式�3x3 mm LP3 Leadless Ceramic SMD
HMC470LP3E具有以下顯著特性:
1. 寬帶操作能力,覆�6�18 GHz的頻率范�,適用于多種射頻和微波應(yīng)��
2. 高增�,典型值為15.5 dB,有助于提升系統(tǒng)靈敏��
3. 低噪聲系�(shù),典型值為1.9 dB,確保接收機鏈路中的�(yōu)異信噪比表現(xiàn)�
4. �(yōu)秀的線性度,輸出三階截獲點(OIP3)高�(dá)+36 dBm,適合高動態(tài)范圍場景�
5. 小型化設(shè)計,采用緊湊�3x3 mm封裝,便于集成到空間受限的電路板上�
6. 單電源供電(+5 V�,簡化了電源管理方案�
7. 良好的輸入和輸出匹配,分別達(dá)�15 dB�12 dB的回波損�,減少反射損��
8. 在整個溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使��
HMC470LP3E適用于廣泛的射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 點對點和點對多點無線電通信系統(tǒng)�
2. �(wèi)星地面站接收�(shè)備�
3. 軍用和商用雷�(dá)系統(tǒng)�
4. 測試與測量儀器,例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
5. 微波鏈路和回傳網(wǎng)�(luò)�
6. 無線基礎(chǔ)�(shè)�,如蜂窩基站和中繼器�
7. 其他需要高增益、低噪聲和寬帶操作的射頻�(yīng)��
HMC471LP3E, HMC-C029