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HMC470LP3E 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 2:19:27 查看 閱讀:15

HMC470LP3E是一款由Analog Devices公司(前身為Hittite Microwave Corporation)生產(chǎn)的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)。該器件采用3x3 mm QFN封裝,設(shè)計用于微波應(yīng)用,如點對點無線電、衛(wèi)星通信和測試測量設(shè)備。其卓越的增益性能和低噪聲系數(shù)使其成為高頻信號鏈路中的理想選擇。
  此放大器的工作頻率范圍為6至18 GHz,能夠支持多種寬頻帶應(yīng)用需求。由于其高線性度和低功耗特性,HMC470LP3E在需要高動態(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

頻率范圍:6 GHz 至 18 GHz
  增益:15.5 dB(典型值)
  噪聲系數(shù):1.9 dB(典型值)
  輸入回波損耗:15 dB(典型值)
  輸出回波損耗:12 dB(典型值)
  輸出IP3:+36 dBm(典型值)
  電源電壓:+5 V
  工作電流:65 mA(典型值)
  封裝形式:3x3 mm LP3 Leadless Ceramic SMD

特性

HMC470LP3E具有以下顯著特性:
  1. 寬帶操作能力,覆蓋6至18 GHz的頻率范圍,適用于多種射頻和微波應(yīng)用。
  2. 高增益,典型值為15.5 dB,有助于提升系統(tǒng)靈敏度。
  3. 低噪聲系數(shù),典型值為1.9 dB,確保接收機鏈路中的優(yōu)異信噪比表現(xiàn)。
  4. 優(yōu)秀的線性度,輸出三階截獲點(OIP3)高達(dá)+36 dBm,適合高動態(tài)范圍場景。
  5. 小型化設(shè)計,采用緊湊的3x3 mm封裝,便于集成到空間受限的電路板上。
  6. 單電源供電(+5 V),簡化了電源管理方案。
  7. 良好的輸入和輸出匹配,分別達(dá)到15 dB和12 dB的回波損耗,減少反射損失。
  8. 在整個溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),適應(yīng)各種環(huán)境條件下的使用。

應(yīng)用

HMC470LP3E適用于廣泛的射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 點對點和點對多點無線電通信系統(tǒng)。
  2. 衛(wèi)星地面站接收設(shè)備。
  3. 軍用和商用雷達(dá)系統(tǒng)。
  4. 測試與測量儀器,例如頻譜分析儀和網(wǎng)絡(luò)分析儀。
  5. 微波鏈路和回傳網(wǎng)絡(luò)。
  6. 無線基礎(chǔ)設(shè)施,如蜂窩基站和中繼器。
  7. 其他需要高增益、低噪聲和寬帶操作的射頻應(yīng)用。

替代型號

HMC471LP3E, HMC-C029

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hmc470lp3e參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別RF/IF 和 RFID
  • 家庭衰減器
  • 系列-
  • 衰減值1dB ~ 31dB
  • 容差-
  • 頻率范圍0 ~ 3GHz
  • 功率(瓦特)-
  • 阻抗50 歐姆
  • 封裝/外殼16-VQFN 裸露焊盤
  • 其它名稱1127-1046-6