時間：2025/5/29 2:19:27
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HMC470LP3E是一款由Analog Devices公司（前身為Hittite Microwave Corporation）生產(chǎn)的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器（LNA）。該器件采用3x3 mm QFN封裝，設(shè)計用于微波應(yīng)用，如點對點無線電、衛(wèi)星通信和測試測量設(shè)備。其卓越的增益性能和低噪聲系數(shù)使其成為高頻信號鏈路中的理想選擇。
此放大器的工作頻率范圍為6至18 GHz，能夠支持多種寬頻帶應(yīng)用需求。由于其高線性度和低功耗特性，HMC470LP3E在需要高動態(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
頻率范圍：6 GHz 至 18 GHz
增益：15.5 dB（典型值）
噪聲系數(shù)：1.9 dB（典型值）
輸入回波損耗：15 dB（典型值）
輸出回波損耗：12 dB（典型值）
輸出IP3：+36 dBm（典型值）
電源電壓：+5 V
工作電流：65 mA（典型值）
封裝形式：3x3 mm LP3 Leadless Ceramic SMD
HMC470LP3E具有以下顯著特性：
1. 寬帶操作能力，覆蓋6至18 GHz的頻率范圍，適用于多種射頻和微波應(yīng)用。
2. 高增益，典型值為15.5 dB，有助于提升系統(tǒng)靈敏度。
3. 低噪聲系數(shù)，典型值為1.9 dB，確保接收機鏈路中的優(yōu)異信噪比表現(xiàn)。
4. 優(yōu)秀的線性度，輸出三階截獲點（OIP3）高達(dá)+36 dBm，適合高動態(tài)范圍場景。
5. 小型化設(shè)計，采用緊湊的3x3 mm封裝，便于集成到空間受限的電路板上。
6. 單電源供電（+5 V），簡化了電源管理方案。
7. 良好的輸入和輸出匹配，分別達(dá)到15 dB和12 dB的回波損耗，減少反射損失。
8. 在整個溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，適應(yīng)各種環(huán)境條件下的使用。
HMC470LP3E適用于廣泛的射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 點對點和點對多點無線電通信系統(tǒng)。
2. 衛(wèi)星地面站接收設(shè)備。
3. 軍用和商用雷達(dá)系統(tǒng)。
4. 測試與測量儀器，例如頻譜分析儀和網(wǎng)絡(luò)分析儀。
5. 微波鏈路和回傳網(wǎng)絡(luò)。
6. 無線基礎(chǔ)設(shè)施，如蜂窩基站和中繼器。
7. 其他需要高增益、低噪聲和寬帶操作的射頻應(yīng)用。
HMC471LP3E, HMC-C029
