HMC533LP4ETR 是一款由 Analog Devices(ADI)推出的 GaAs MMIC(單片微波集成電路)低噪聲放大器(LNA),采用塑料 QFN 封裝,適合于高性能射頻應(yīng)用。該器件在高頻段表現(xiàn)出卓越的增益和低噪聲性能,廣泛應(yīng)用于無線通信、測試設(shè)備以及雷達(dá)系統(tǒng)等場景。
這款放大器內(nèi)置有源偏置電路,確保了穩(wěn)定的性能,并簡化了設(shè)計流程。此外,它還具有出色的線性度和回波損耗表現(xiàn),使其非常適合要求苛刻的射頻前端應(yīng)用。
頻率范圍:0.01 GHz 至 18 GHz
增益:21 dB
噪聲系數(shù):1.2 dB
輸出 IP3:+36 dBm
P1dB:+19 dBm
Vdd:+4 V
Id:75 mA
封裝類型:4x4 mm QFN
HMC533LP4ETR 提供了極高的工作頻率范圍,可支持從直流到 18 GHz 的寬廣頻帶操作。其高增益與低噪聲系數(shù)使得該芯片成為接收機鏈路中的理想選擇。同時,其優(yōu)秀的線性度(以 IP3 和 P1dB 表示)保證了即使在強信號環(huán)境下也能保持良好的性能。
內(nèi)置的有源偏置功能讓 HMC533LP4ETR 更加易于使用,無需額外的外部偏置組件。這不僅減少了整體電路板空間需求,還降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性。此外,其小型化的 4x4 mm QFN 封裝進(jìn)一步優(yōu)化了尺寸敏感型設(shè)計的需求。
HMC533LP4ETR 在各種溫度條件下均能保持穩(wěn)定的工作特性,適用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 頻段以及軍事通信領(lǐng)域。
該芯片適用于廣泛的射頻應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
- 點對點無線電系統(tǒng)
- 軍用雷達(dá)和電子對抗
- 測試測量儀器
- 光纖通信網(wǎng)絡(luò)中的射頻模塊
- 衛(wèi)星通信地面站
- 微波數(shù)據(jù)鏈路
- 通用射頻前端解決方案
由于其寬泛的頻率覆蓋范圍和出色的電氣性能,HMC533LP4ETR 成為許多高端射頻系統(tǒng)的核心組件。
HMC533LC4BTR
HMC533LC4BG-N
HMC533LP4E