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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HMT312S6BFR6C-H9N0

HMT312S6BFR6C-H9N0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 17:23:39 查看 閱讀�24

HMT312S6BFR6C-H9N0 是一款由 Micron(美光科技)生�(chǎn)� DRAM �(nèi)存顆�。該型號(hào)屬于 LPDDR4X 系列,主要應(yīng)用于移動(dòng)�(shè)�、平板電腦以及其他對(duì)功耗敏感的電子�(chǎn)品中。LPDDR4X 是一種低功耗的�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技�(shù),它通過(guò)降低 I/O 電壓�(jìn)一步減少了功�,同�(shí)保持了較高的�(shù)�(jù)傳輸速率�
  這款芯片采用 BGA 封裝形式,具有高密度、低功耗和高性能的特�(diǎn),非常適合需要高效能和節(jié)能的�(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

類型:DRAM
  系列:LPDDR4X
  容量�6Gb
  組織方式�72 bits
  I/O 電壓�0.6V
  VDD/VDDQ 電壓�1.1V
  �(shù)�(jù)速率�4266 Mbps
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  引腳�(shù)�190

特�

HMT312S6BFR6C-H9N0 的主要特性包括:
  1. 超低功耗設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)� LPDDR4,LPDDR4X �(jìn)一步降低了 I/O 電壓,從而減少功耗�
  2. 高性能表現(xiàn):支持高�(dá) 4266 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代移�(dòng)�(shè)備對(duì)高速數(shù)�(jù)處理的需��
  3. 高密度存�(chǔ)�?jiǎn)晤w芯片即可提供 6Gb 的存�(chǔ)容量,適合大�(nèi)存需求的�(yīng)��
  4. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝形式,節(jié)� PCB 空間,便于在緊湊型設(shè)備中的應(yīng)用�
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)多種使用�(huán)境�

�(yīng)�

HMT312S6BFR6C-H9N0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦:作為主內(nèi)�,提供快速的�(shù)�(jù)訪問(wèn)和高效的能耗管理�
  2. 可穿戴設(shè)備:由于其低功耗特�,適用于智能手表和其他便攜式電子�(shè)備�
  3. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備:為需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理的物�(lián)�(wǎng)�(shè)備提供可靠的�(nèi)存支��
  4. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)自動(dòng)�、醫(yī)療設(shè)備等需要高性能�(nèi)存的嵌入式應(yīng)用場(chǎng)��
  5. 筆記本電腦和超極本:提供更高的內(nèi)存帶寬和更低的功�,提升用戶體�(yàn)�

替代型號(hào)

HMT356S6EFR8C-H9K0
  HMT356S6BFR8C-KBC0
  HMT328S6EFR8A-H9J0

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