HN1A01FU-GR,LF(T) 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),廣泛�(yīng)用于高頻、高效能功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和無線充電等�(yīng)用�
這款芯片采用了先�(jìn)的封裝工藝以支持表面貼裝(SMD)技�(shù),并且滿足無鉛(Pb-Free)及符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)的要�,使其在�(huán)保和可靠性方面表�(xiàn)出色�
類型:增�(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�7.5mΩ
輸入電容(Ciss)�940pF
輸出電容(Coss)�65pF
反向傳輸電容(Crss)�35pF
柵極電荷(Qg)�35nC
工作溫度范圍�-40℃至+150�
1. 采用氮化鎵(GaN)材料制�,具備卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損��
2. 增強(qiáng)型設(shè)�(jì),確保只有當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)才導(dǎo)通,提升了使用的安全��
3. 高效率和低開�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)用環(huán)��
4. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),無鉛封�,環(huán)保友��
6. 具有�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下長期�(yùn)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和反激式拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的車載充電器和逆變��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制和伺服系�(tǒng)�
5. 快速充電適配器和無線充電設(shè)��
6. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�,例如太陽能逆變��
GaN Systems GS66508T, Transphorm TPH3206G