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HN1A01FU-GR,LF(T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:39:20 查看 閱讀�16

HN1A01FU-GR,LF(T) 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),廣泛�(yīng)用于高頻、高效能功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和無線充電等�(yīng)用�
  這款芯片采用了先�(jìn)的封裝工藝以支持表面貼裝(SMD)技�(shù),并且滿足無鉛(Pb-Free)及符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)的要�,使其在�(huán)保和可靠性方面表�(xiàn)出色�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�100V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�8A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�7.5mΩ
  輸入電容(Ciss)�940pF
  輸出電容(Coss)�65pF
  反向傳輸電容(Crss)�35pF
  柵極電荷(Qg)�35nC
  工作溫度范圍�-40℃至+150�

特�

1. 采用氮化鎵(GaN)材料制�,具備卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損��
  2. 增強(qiáng)型設(shè)�(jì),確保只有當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)才導(dǎo)通,提升了使用的安全��
  3. 高效率和低開�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)用環(huán)��
  4. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),無鉛封�,環(huán)保友��
  6. 具有�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下長期�(yùn)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和反激式拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的車載充電器和逆變��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制和伺服系�(tǒng)�
  5. 快速充電適配器和無線充電設(shè)��
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�,例如太陽能逆變��

替代型號(hào)

GaN Systems GS66508T, Transphorm TPH3206G

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