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HN1B01FDW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/3 16:24:40 查看 閱讀�390

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

  

目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

    晶體管類(lèi)型:NPN, PNP

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�200mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

    電流 - 集電極截止(最大)�2?A

    在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�200 @ 2mA, 6V

    功率 - 最大:380mW

    頻率 - �(zhuǎn)換:-

    安裝�(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:SC-74-6

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-74

    其它名稱:HN1B01FDW1T1GOS


資料

廠商
ON Semiconductor

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
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  • 詢價(jià)

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hn1b01fdw1t1g�(chǎn)�

hn1b01fdw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN,PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA / 300mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)2µA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)200 @ 2mA�6V
  • 功率 - 最�380mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-74
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱HN1B01FDW1T1GOS