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HN1B04FU-GR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 18:27:37 查看 閱讀：23

HN1B04FU-GR 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，適用于高頻和高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適合于需要高性能、高效率的場(chǎng)景。
　　HN1B04FU-GR 的設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電源系統(tǒng)對(duì)更高頻率操作、更小尺寸以及更低能量損耗的需求。其優(yōu)異的熱性能和電氣特性使其成為開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他功率電子系統(tǒng)的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：4A
　　導(dǎo)通電阻：90mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無(wú)（GaN 器件固有特性）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

HN1B04FU-GR 具備以下主要特性：
　　1. 氮化鎵技術(shù)帶來(lái)的超低導(dǎo)通電阻和高效率，減少功率損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻操作，從而減小了外部元件尺寸和整體解決方案體積。
　　3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提高了器件的抗靜電能力。
　　5. 小型化的表面貼裝封裝形式，簡(jiǎn)化 PCB 設(shè)計(jì)并節(jié)省空間。
　　6. 熱性能卓越，能夠在極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

應(yīng)用

HN1B04FU-GR 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC（功率因數(shù)校正）電路。
　　3. 無(wú)線充電設(shè)備中的功率傳輸模塊。
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能逆變器。
　　5. 數(shù)據(jù)中心和通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效電源管理方案。
　　6. 電動(dòng)汽車車載充電器和其他高功率密度應(yīng)用。

替代型號(hào)

HN1B04FU-GQ, HN1B06FU-GR

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