HN1C01FE-GR是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高效能應(yīng)用設(shè)�。該器件采用增強型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于電源管理、射頻放大器和其他高性能電子系統(tǒng)。其封裝形式通常為表面貼�,便于自動化生產(chǎn)和提高可靠��
HN1C01FE-GR的主要特點是�(jié)合了氮化鎵材料的�(yōu)異性能,能夠在高頻和高溫條件下提供�(wěn)定的輸出表現(xiàn)。此�,由于其高效的開�(guān)特性和較低的能量損�,該芯片廣泛�(yīng)用于需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用場��
類型:增強型高電子遷移率晶體管(HEMT�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):±10 V
連續(xù)漏極電流(Id):8 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):150 mΩ
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247 或表面貼�
1. 采用氮化鎵材�,具備高擊穿電壓和低�(dǎo)通電��
2. 增強型結(jié)�(gòu)確保在正柵壓下開�,提高使用的安全性�
3. 支持高頻操作,適合用于高頻開�(guān)電源和射頻應(yīng)用�
4. 高溫適應(yīng)性好,能夠承受極端環(huán)境下的工作條��
5. 具備快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損耗并提升整體效率�
6. 封裝�(shè)計優(yōu)�,支持高功率密度集成,同時兼容表面貼裝工��
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
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HN1C02FE-GR, HN1C01FJ-GR