HN2A01FU-GR是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的MOSFET晶體�,屬于N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件主要用于需要高效率和低功耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用中。它采用TO-252小型封裝,適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及電源管理等領(lǐng)��
HN2A01FU-GR以其較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度而著稱,能夠有效降低電路中的能量損�,同�(shí)提高系統(tǒng)的整體性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:3.7A
�(dǎo)通電阻(典型值)�40mΩ
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝類型:TO-252
HN2A01FU-GR具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,確保在高電流條件下也能保持較低的能量損耗�
2. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),適用于各種不同的負(fù)載環(huán)境�
3. �(yōu)秀的開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量浪�(fèi)�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封�,便于表面貼裝技�(shù)(SMT)生�(chǎn),節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
HN2A01FU-GR主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器中的�(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)�(shè)備中的信�(hào)隔離與保�(hù)�
5. 各種便攜式設(shè)備中的電池管理電��
6. LED�(qū)�(dòng)電路中的電流�(diào)節(jié)和開(kāi)�(guān)功能�
HN2A01FU-EU, IRF740C, FQP18N06L