HN2A01FU-GR是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的MOSFET晶體管,屬于N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件主要用于需要高效率和低功耗的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。它采用TO-252小型封裝,適合表面貼裝工藝,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及電源管理等領(lǐng)域。
HN2A01FU-GR以其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度而著稱,能夠有效降低電路中的能量損耗,同時(shí)提高系統(tǒng)的整體性能。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:3.7A
導(dǎo)通電阻(典型值):40mΩ
總功耗:1.1W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝類型:TO-252
HN2A01FU-GR具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保在高電流條件下也能保持較低的能量損耗。
2. 高擊穿電壓設(shè)計(jì),適用于各種不同的負(fù)載環(huán)境。
3. 優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)速度,減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量浪費(fèi)。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 小型化封裝,便于表面貼裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn),節(jié)省PCB空間。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
HN2A01FU-GR主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
4. 工業(yè)設(shè)備中的信號(hào)隔離與保護(hù)。
5. 各種便攜式設(shè)備中的電池管理電路。
6. LED驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)功能。
HN2A01FU-EU, IRF740C, FQP18N06L