HN2A01FU-GR 時(shí)間：2025/5/13 16:36:35 閱讀：19

HN2A01FU-GR是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的MOSFET晶體管，屬于N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件主要用于需要高效率和低功耗的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。它采用TO-252小型封裝，適合表面貼裝工藝，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及電源管理等領(lǐng)域。
　　HN2A01FU-GR以其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度而著稱，能夠有效降低電路中的能量損耗，同時(shí)提高系統(tǒng)的整體性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　最大漏極電流：3.7A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：40mΩ
　　總功耗：1.1W
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃
　　封裝類型：TO-252

特性

HN2A01FU-GR具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，確保在高電流條件下也能保持較低的能量損耗。
　　2. 高擊穿電壓設(shè)計(jì)，適用于各種不同的負(fù)載環(huán)境。
　　3. 優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量浪費(fèi)。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝，便于表面貼裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)，節(jié)省PCB空間。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

HN2A01FU-GR主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
　　3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 工業(yè)設(shè)備中的信號(hào)隔離與保護(hù)。
　　5. 各種便攜式設(shè)備中的電池管理電路。
　　6. LED驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)功能。