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HN2A01FU-GR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/13 16:36:35 查看 閱讀:19

HN2A01FU-GR是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的MOSFET晶體管,屬于N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件主要用于需要高效率和低功耗的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。它采用TO-252小型封裝,適合表面貼裝工藝,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及電源管理等領(lǐng)域。
  HN2A01FU-GR以其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度而著稱,能夠有效降低電路中的能量損耗,同時(shí)提高系統(tǒng)的整體性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:3.7A
  導(dǎo)通電阻(典型值):40mΩ
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:TO-252

特性

HN2A01FU-GR具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保在高電流條件下也能保持較低的能量損耗。
  2. 高擊穿電壓設(shè)計(jì),適用于各種不同的負(fù)載環(huán)境。
  3. 優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)速度,減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量浪費(fèi)。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 小型化封裝,便于表面貼裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn),節(jié)省PCB空間。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

HN2A01FU-GR主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
  4. 工業(yè)設(shè)備中的信號(hào)隔離與保護(hù)。
  5. 各種便攜式設(shè)備中的電池管理電路。
  6. LED驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)功能。

替代型號(hào)

HN2A01FU-EU, IRF740C, FQP18N06L

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