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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HSG1001VD-TL-E

HSG1001VD-TL-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 14:47:38 查看 閱讀�25

HSG1001VD-TL-E是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用Trench技�(shù)制�,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
  該型號屬于增�(qiáng)型N溝道MOSFET,具備出色的熱性能和電氣性能,適合在高頻和高電流�(huán)境下使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷�74nC
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)� 15ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 25ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳�(dǎo)損��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
  3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),可減少�(qū)�(dòng)功��
  4. �(qiáng)大的雪崩耐量和短路耐受能力,提高了器件的可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的橋臂開關(guān)�
  4. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)控制和汽車電子中的功率管理模��

替代型號

IRF7728, FDP058N06L, AO6824

hsg1001vd-tl-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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