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HUF75345S3ST 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/13 8:48:52 查看 閱讀:24

HUF75345S3ST是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特性。該器件適用于各種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),能夠提供出色的散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:12A
  最大柵源電壓:±20V
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.8mΩ
  總功耗:10W
  工作溫度范圍:-55℃至175℃
  封裝形式:TO-263

特性

HUF75345S3ST具備低導(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高效率。同時(shí),它具有快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用。器件的高電流承載能力和寬工作溫度范圍使其非常適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。此外,其D2PAK封裝提供了良好的熱管理和電氣性能。

應(yīng)用

該MOSFET廣泛應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,HUF75345S3ST的高效能和可靠性可以顯著提升系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

替代型號(hào)

IRF7742, AO3400A

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huf75345s3st參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝800
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 75A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs275nC @ 20V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大325W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-263AB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)HUF75345S3ST-NDHUF75345S3STTR