HUF75345S3ST是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特性。該器件適用于各種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),能夠提供出色的散熱性能。
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流:12A
最大柵源電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(典型值):1.8mΩ
總功耗:10W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝形式:TO-263
HUF75345S3ST具備低導(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高效率。同時(shí),它具有快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用。器件的高電流承載能力和寬工作溫度范圍使其非常適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。此外,其D2PAK封裝提供了良好的熱管理和電氣性能。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,HUF75345S3ST的高效能和可靠性可以顯著提升系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。
IRF7742, AO3400A