HV1812Y471MXMARHV是一款高性能的高壓MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及LED照明等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功��
這款器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其額定電壓和電流參�(shù)使其非常適合于需要高可靠性和高效能的�(yīng)用場(chǎng)�。此�,HV1812Y471MXMARHV還具備優(yōu)異的熱性能和抗浪涌能力,有助于提升整體電路的穩(wěn)定性和耐用��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:47mΩ(典型值)
柵極電荷�130nC(典型值)
輸入電容�1900pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
1. 高擊穿電壓:高達(dá)650V的最大漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的安全運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻:�47mΩ的典型導(dǎo)通電�,可以減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較低的柵極電荷和輸出電�,有助于�(shí)�(xiàn)高頻操作�
4. 寬工作溫度范圍:支持�-55°C�+175°C的工作溫度區(qū)�,適�(yīng)各種極端�(huán)��
5. �(qiáng)大的抗浪涌能力:通過(guò)�(yōu)化的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),提高了�(duì)瞬態(tài)電壓的耐受��
6. 小巧緊湊的封裝:采用TO-247封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
這些特性使HV1812Y471MXMARHV成為眾多高功率應(yīng)用的理想選擇�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
3. LED照明:為大功率LED燈具提供高效的驅(qū)�(dòng)解決方案�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服系�(tǒng)��
5. 太陽(yáng)能逆變器:在光伏系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)直流到交流的�(zhuǎn)��
6. 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)施:支持快速充電站的高功率處理需��
由于其強(qiáng)大的性能和靈活�,HV1812Y471MXMARHV幾乎可以在任何需要高�、高電流�(kāi)�(guān)的場(chǎng)合發(fā)揮作��
IRFP460, STP55NF06L, FDP5500