HV830LG-G是一款高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,適用于需要高電壓驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)景。該芯片能夠有效地驅(qū)動(dòng)外部的N溝道MOSFET或IGBT,提供快速的開關(guān)性能和強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力。它集成了多種保護(hù)功能以確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。
其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)優(yōu)化了功耗和散熱性能,并且具有較高的抗干擾能力,可以適應(yīng)復(fù)雜的電磁環(huán)境。
供電電壓:12V~60V
輸出電流:峰值可達(dá)2A
驅(qū)動(dòng)能力:支持高達(dá)1000V的外部MOSFET
工作溫度范圍:-40℃~125℃
封裝形式:SOIC-8
輸入兼容性:TTL/CMOS電平兼容
HV830LG-G的主要特性包括:
1. 高壓驅(qū)動(dòng)能力,可直接驅(qū)動(dòng)高達(dá)1000V的MOSFET或IGBT;
2. 內(nèi)置死區(qū)時(shí)間控制功能,防止直通電流;
3. 支持低至2.5V的邏輯電平輸入,便于與微控制器等數(shù)字系統(tǒng)接口;
4. 集成欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),確保在異常條件下芯片的安全運(yùn)行;
5. 快速響應(yīng)的短路保護(hù)和過溫關(guān)斷功能,提升系統(tǒng)的可靠性;
6. 超低靜態(tài)功耗設(shè)計(jì),適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用環(huán)境。
HV830LG-G適合以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源中的功率級(jí)驅(qū)動(dòng);
2. 無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)電路;
3. 大功率LED驅(qū)動(dòng)器;
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊;
5. 逆變器及光伏系統(tǒng)中的高頻開關(guān)元件驅(qū)動(dòng);
6. 各類高壓負(fù)載切換和控制。
HV830L, IR2104, TI UCC27211