時間：2025/5/10 10:04:36
閱讀：25
HVU358-2TRF是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款芯片通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計，在高溫環(huán)境下依然可以保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，適用于對可靠性要求較高的工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域。
型號：HVU358-2TRF
類型：N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(VDS)：650V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
最大持續(xù)漏極電流(ID)：12A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：0.3Ω
功耗(PD)：240W
工作溫度范圍(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
HVU358-2TRF具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，最大漏源電壓可達(dá)650V，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 極低的導(dǎo)通電阻僅為0.3Ω，從而減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)特性，降低開關(guān)損耗，支持高頻工作場景。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，提升芯片的抗靜電能力。
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃)，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的運行需求。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
HVU358-2TRF廣泛應(yīng)用于各類高功率電子產(chǎn)品中，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及逆變器。
3. 工業(yè)電機驅(qū)動和控制模塊。
4. 汽車電子中的啟動與停止系統(tǒng)、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)等。
5. 太陽能光伏逆變器以及其他可再生能源設(shè)備。
其卓越的性能和可靠性使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。
HVU359-2TRF, IRFP260N, STP12NM65
