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HWD2190MM 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 19:25:22 查看 閱讀�32

HWD2190MM是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場�。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款功率MOSFET具有快速開�(guān)特性和良好的熱�(wěn)定�,適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中對功率控制要求較高的場合�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  最大連續(xù)漏極電流Id�30A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�4mΩ
  總功耗Ptot�15W
  工作溫度范圍Tj�-55� to +175�
  封裝形式:TO-220

特�

HWD2190MM采用了最新的半導(dǎo)體技�(shù)�(shè)計,其主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�4mΩ,有助于減少�(dǎo)通損��
  2. 快速開�(guān)性能,可顯著降低開關(guān)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  3. 高電流承載能�,支持高�30A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
  4. 寬泛的工作溫度范圍,�-55℃到+175�,保證了在極端環(huán)境下的可靠運行�
  5. �(nèi)置靜電防護功�,增強了器件的魯棒性,降低了因靜電�(dǎo)致的損壞�(fēng)��
  6. 封裝形式為標(biāo)準的TO-220,便于安裝與散熱�(shè)��

�(yīng)�

HWD2190MM由于其優(yōu)異的性能,非常適合以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 各種類型的電機驅(qū)動電路,如步進電�、無刷直流電機等�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換控��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
  6. 任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的電子設(shè)備中都可以考慮使用此器��

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP55N06L

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