時間：2025/5/15 15:23:12
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HY27UT088G2A-TPCB 是一款由 Hynix（海力士）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，主要用于數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用。該芯片采用 8Gb（1GB）的存儲容量，支持多級單元（MLC）技術(shù)，能夠以較高的密度和較低的成本提供大容量的存儲解決方案。
該芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備（如數(shù)碼相機(jī)、便攜式播放器等）以及需要高容量存儲的場景。
存儲容量：8Gb (1GB)
接口類型：Toggle Mode 2.0
工作電壓：Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V
封裝形式：TSOP
數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá) 266MT/s
頁大�。�8KB
塊大小：512KB
擦寫次數(shù)：3000 次（典型值）
工作溫度：-40°C 至 +85°C
HY27UT088G2A-TPCB 具備以下主要特性：
1. 高密度存儲：單芯片提供 8Gb 的存儲容量，適合對存儲需求較高的應(yīng)用場景。
2. 快速讀寫性能：支持 Toggle Mode 2.0 接口協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 266MT/s，顯著提升數(shù)據(jù)吞吐能力。
3. 多級單元（MLC）技術(shù)：通過在每個存儲單元中保存多個比特位，有效提高存儲密度并降低成本。
4. 高可靠性：具備強(qiáng)大的錯誤檢測與糾正功能（ECC），確保數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
5. 小型化封裝：采用 TSOP 封裝，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
6. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -40°C 到 +85°C 的工業(yè)級溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作條件。
HY27UT088G2A-TPCB 芯片適用于以下領(lǐng)域：
1. 嵌入式系統(tǒng)：為嵌入式設(shè)備提供可靠的大容量存儲方案。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器等，滿足其對高性能存儲的需求。
3. 固態(tài)存儲設(shè)備：用于制造小型固態(tài)硬盤或存儲卡。
4. 工業(yè)控制設(shè)備：為需要長時間穩(wěn)定運(yùn)行的工業(yè)設(shè)備提供數(shù)據(jù)存儲支持。
5. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：作為網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)等設(shè)備中的存儲組件使用。
HY27UT088G2B-TPCB
HY27UF088G2A-TPCB
