HY27UT088G2A-TPCB 是一款由 Hynix(海力士)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲�(yīng)�。該芯片采用 8Gb�1GB)的存儲容量,支持多級單元(MLC)技�(shù),能夠以較高的密度和較低的成本提供大容量的存儲解決方��
該芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備(如數(shù)碼相�(jī)、便攜式播放器等)以及需要高容量存儲的場景�
存儲容量�8Gb (1GB)
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓:Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V
封裝形式:TSOP
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 266MT/s
頁大?�?KB
塊大小:512KB
擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
工作溫度�-40°C � +85°C
HY27UT088G2A-TPCB 具備以下主要特性:
1. 高密度存儲:單芯片提� 8Gb 的存儲容�,適合對存儲需求較高的�(yīng)用場��
2. 快速讀寫性能:支� Toggle Mode 2.0 接口�(xié)議,�(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 266MT/s,顯著提升數(shù)�(jù)吞吐能力�
3. 多級單元(MLC)技�(shù):通過在每個存儲單元中保存多個比特位,有效提高存儲密度并降低成本�
4. 高可靠性:具備�(qiáng)大的錯誤檢測與糾正功能(ECC�,確保數(shù)�(jù)的完整性和可靠性�
5. 小型化封裝:采用 TSOP 封裝,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -40°C � +85°C 的工�(yè)級溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
HY27UT088G2A-TPCB 芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng):為嵌入式設(shè)備提供可靠的大容量存儲方案�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相�(jī)、便攜式媒體播放器等,滿足其對高性能存儲的需��
3. 固態(tài)存儲�(shè)備:用于制造小型固�(tài)硬盤或存儲卡�
4. 工業(yè)控制�(shè)備:為需要長時間�(wěn)定運(yùn)行的工業(yè)�(shè)備提供數(shù)�(jù)存儲支持�
5. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:作為�(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)等設(shè)備中的存儲組件使��
HY27UT088G2B-TPCB
HY27UF088G2A-TPCB