HY62WT08081E-DG55I 是一款由 Hynix(海力士)生�(chǎn)的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用 CMOS 工藝制造,具有低功耗和高速度的特�(diǎn),適用于各種需要高性能�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場�。它提供了大容量的存�(chǔ)空間,同�(shí)保持了穩(wěn)定性和可靠��
這款 SRAM 芯片主要面向工業(yè)、通信和消�(fèi)類電子設(shè)備領(lǐng)�,廣泛用于網(wǎng)�(luò)�(shè)�、打印機(jī)、數(shù)碼相�(jī)等需要快速數(shù)�(jù)處理和臨�(shí)存儲(chǔ)的場��
容量�512K x 16 bit = 1M Byte
工作電壓�3.3V ± 0.3V
訪問�(shí)間:10ns 典型�
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:無限期(在供電情況下�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TQFP-44 引腳
I/O 緩沖:SSTL_2
引腳配置:符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)
HY62WT08081E-DG55I 提供高密度存�(chǔ)能力,支持快速的�(shù)�(jù)讀寫操�。其 CMOS 制造工藝顯著降低了功�,使芯片能夠在長�(shí)間運(yùn)行中保持較低的熱量輸��
此外,該芯片具備自動(dòng)電源管理功能,在待機(jī)模式下可以�(jìn)一步減少能��
由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該 SRAM 具有較高的抗干擾能力和穩(wěn)定�,適合在�(fù)雜電磁環(huán)境下使用�
其非易失性數(shù)�(jù)保留特性確保在斷電后數(shù)�(jù)不會(huì)丟失,直到重新寫入新�(nèi)容為歀�
整體�(shè)�(jì)�(yōu)化了信號(hào)完整性和�(shí)序精�,從而提高了系統(tǒng)性能�
HY62WT08081E-DG55I 可應(yīng)用于多種需要高效數(shù)�(jù)緩沖和臨�(shí)存儲(chǔ)的場�,例如:
1. �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)中的�(shù)�(jù)包緩�
2. 打印�(jī)中的圖像緩存
3. �(shù)碼相�(jī)和其他多媒體�(shè)備的幀緩存
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的數(shù)�(jù)記錄和暫�
5. �(yī)療設(shè)備中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理與存�(chǔ)
6. 通信基站中的�(xié)議棧緩沖區(qū)
7. 游戲�(jī)或其他嵌入式系統(tǒng)的高速緩存組�
IS61WV51216BLL-10TI, AS6C1008-55JC, CY7C1049V33-10PC