HY62WT08081E-DG70C 是一款由 Hynix(現(xiàn)代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片采用 CMOS 工藝制�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。其主要功能是提供快速的�(shù)�(jù)讀�(xiě)能力,適用于需要頻繁訪�(wèn)�(shù)�(jù)的應(yīng)用場(chǎng)景�
該芯片的容量� 512K x 16 �,總存儲(chǔ)容量� 8Mbit。它支持同步和異步操作模�,并且具備高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)哪芰Α?/p>
容量�512K x 16 �
總存�(chǔ)容量�8Mbit
工作電壓�3.3V � 2.5V
�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間:10ns/15ns/20ns
封裝�(lèi)型:TQFP-48
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 引腳�(shù)�48
�(shù)�(jù)寬度�16 �
1. 高速性能:支� 10ns 的快速數(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間,滿足�(shí)�(shí)處理需��
2. 低功耗設(shè)�(jì):采用先�(jìn)� CMOS 技�(shù),降低整體功��
3. 多種工作模式:支持同步和異步操作,便于靈活應(yīng)��
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保在工業(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�
5. 易于集成:標(biāo)�(zhǔn) TQFP 封裝,方� PCB �(shè)�(jì)與焊接�
6. �(shù)�(jù)保持功能:即使在電源�(guān)閉時(shí)也能通過(guò)外部電池維持?jǐn)?shù)�(jù)�
HY62WT08081E-DG70C 主要�(yīng)用于需要高性能和大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)�,例如:
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)�
2. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩存模塊�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器和交換�(jī)�
4. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. �(cè)試測(cè)�?jī)x器的�(shù)�(jù)緩沖區(qū)�
6. 圖形顯示控制器中的幀緩沖存儲(chǔ)�
7. 游戲�(jī)和其他消�(fèi)電子�(chǎn)品的高速緩存區(qū)��
HY62WT08081B-DG70C
HY62WT08081E-DG70B
IS61WV51216BLL-15
AS6C1008