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HZM11NB2TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/27 16:21:04 查看 閱讀：18

HZM11NB2TR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用TO-252封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度等特性，適合需要高效能和小體積設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該MOSFET的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）與柵極電荷（Qg），能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗，并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：2.8A
　　脈沖漏極電流：11A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：9nC
　　總功耗：1.1W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功率損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適用于高頻應(yīng)用。
　　3. 小尺寸TO-252封裝，節(jié)省PCB空間。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
　　5. 支持高電流處理能力，滿足多種功率需求。
　　6. 提供了優(yōu)異的電氣特性和抗干擾能力，適應(yīng)復(fù)雜的工作環(huán)境。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 各類消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離和功率放大。

替代型號(hào)

IRFZ44N, AO3400, FDP5570N

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