HZM11NB2TR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用TO-252封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度等特性,適合需要高效能和小體積設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
該MOSFET的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻(Rds(on))與柵極電荷(Qg),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:2.8A
脈沖漏極電流:11A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
柵極電荷:9nC
總功耗:1.1W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用。
3. 小尺寸TO-252封裝,節(jié)省PCB空間。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
5. 支持高電流處理能力,滿足多種功率需求。
6. 提供了優(yōu)異的電氣特性和抗干擾能力,適應(yīng)復(fù)雜的工作環(huán)境。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
5. 各類消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離和功率放大。
IRFZ44N, AO3400, FDP5570N