HZM11NB2TR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)域。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度等特�,適合需要高效能和小體積�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻(Rds(on))與柵極電荷(Qg�,能夠在高頻工作條件下保持較低的功�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.8A
脈沖漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�9nC
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)��
3. 小尺寸TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
5. 支持高電流處理能�,滿足多種功率需��
6. 提供了優(yōu)異的電氣特性和抗干擾能�,適�(yīng)�(fù)雜的工作�(huán)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
4. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
5. 各類消費(fèi)電子�(shè)備中的電源管��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離和功率放��
IRFZ44N, AO3400, FDP5570N