国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置:電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > HZM11NB2TR

HZM11NB2TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 16:21:04 查看 閱讀:18

HZM11NB2TR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用TO-252封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度等特性,適合需要高效能和小體積設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  該MOSFET的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻(Rds(on))與柵極電荷(Qg),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:2.8A
  脈沖漏極電流:11A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:9nC
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用。
  3. 小尺寸TO-252封裝,節(jié)省PCB空間。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
  5. 支持高電流處理能力,滿足多種功率需求。
  6. 提供了優(yōu)異的電氣特性和抗干擾能力,適應(yīng)復(fù)雜的工作環(huán)境。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
  5. 各類消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離和功率放大。

替代型號(hào)

IRFZ44N, AO3400, FDP5570N

hzm11nb2tr推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hzm11nb2tr資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載