HZU16B3TRF-E 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該器件為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式通常為T(mén)O-252(DPAK�,具備良好的散熱特性和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:3mΩ
柵極電荷�40nC
�(kāi)�(guān)速度�15ns
工作溫度范圍�-55� to 150�
HZU16B3TRF-E 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在極端條件下依然能保持�(wěn)定運(yùn)行�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 各類(lèi)DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率處理單��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵開(kāi)�(guān)組件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
IRFZ44N, FDP16N60C, BUK7Y1R2-60E