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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HZU16B3TRF-E

HZU16B3TRF-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 23:58:01 查看 閱讀�22

HZU16B3TRF-E 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  該器件為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式通常為T(mén)O-252(DPAK�,具備良好的散熱特性和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻:3mΩ
  柵極電荷�40nC
  �(kāi)�(guān)速度�15ns
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

HZU16B3TRF-E 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在極端條件下依然能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)元件�
  2. 各類(lèi)DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率處理單��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵開(kāi)�(guān)組件�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP16N60C, BUK7Y1R2-60E

hzu16b3trf-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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