時間：2025/5/8 11:29:05
閱讀：28
HZU30BTRF-E 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）芯片，專為高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及消費類電子設(shè)備中。
其封裝形式為 TO-252（DPAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠有效減少系統(tǒng)體積并提高可靠性。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：30A
導通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：45nC
開關(guān)頻率：最高支持500kHz
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），可顯著降低功率損耗，提升整體效率。
2. 高速開關(guān)能力，適用于高頻開關(guān)電源和逆變器。
3. 強大的散熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
4. 內(nèi)置反向恢復二極管，進一步優(yōu)化開關(guān)性能并減少電磁干擾。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且安全可靠。
6. 耐受雪崩能量的能力強，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機控制與驅(qū)動
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊
5. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切換
6. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元
IRFZ44N, FDP5500, STP30NF06L
