HZU30BTRF-E 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)芯片,專為高效率功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及消費類電子�(shè)備中�
其封裝形式為 TO-252(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠有效減少系統(tǒng)體積并提高可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)頻率:最高支�500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著降低功率損�,提升整體效��
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)電源和逆變��
3. 強大的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
4. �(nèi)置反向恢復二極管,進一步優(yōu)化開�(guān)性能并減少電磁干��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
6. 耐受雪崩能量的能力強,增強了器件在異常情況下的魯棒性�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機控制與驅(qū)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切�
6. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元
IRFZ44N, FDP5500, STP30NF06L