IA1N60T是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高效率和快速開�(guān)速度等特�。IA1N60T適用于各種電源管理場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和電機�(qū)動等。其出色的電氣性能使其成為�(shè)計緊湊高效電源的理想選擇�
IA1N60T的工作電壓范圍較廣,能夠承受較高的漏源極電壓,同時具備較低的導通損耗,有助于減少系�(tǒng)�(fā)熱并提高整體效率�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏電流:1.3A
導通電阻:4.5Ω
柵極電荷�20nC
開關(guān)時間:ton=95ns, toff=65ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
IA1N60T具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 超低導通電�,有效降低功耗�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗�
4. �(wěn)定的工作性能,能夠在高溫�(huán)境下長期運行�
5. 小型封裝�(shè)�,便于PCB布局和節(jié)省空��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
IA1N60T廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機�(qū)�
5. 充電�
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
7. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
8. LED�(qū)動電�
由于其高效率和穩(wěn)定�,IA1N60T在各類功率電子設(shè)計中表現(xiàn)出色�
IRF640N, STP12NM60, FDP12N60