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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 22:28:04 查看 閱讀�21

IAUT300N08S5N012ATMA2是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要應(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能。其額定電壓�80V,連續(xù)漏極電流高達(dá)300A,非常適合需要大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景�
  這款MOSFET�(shè)�(jì)注重降低傳導(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。此�,它還具有較低的柵極電荷(Qg)和輸出電容(Coss�,有助于�(shí)�(xiàn)高頻操作�

參數(shù)

型號(hào):IAUT300N08S5N012ATMA2
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�80V
  連續(xù)漏極電流�300A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�120nC(典型值)
  總柵極電荷:160nC(最大值)
  輸入電容�3700pF(典型值)
  輸出電容�1200pF(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:9ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:D2PAK(TO-263�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功��
  2. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)用�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻工作環(huán)��
  4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠承受惡劣的工作條件�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局與散熱管��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
  7. 提供良好的抗雪崩能力和ESD保護(hù),確保器件在異常情況下的安全��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流管�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  4. 新能源汽車電子系�(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)開(kāi)�(guān)�
  5. 大功率LED�(qū)�(dòng)器的核心元件�
  6. 充電器和適配器中的高效功率轉(zhuǎn)換組件�
  7. 不間斷電源(UPS)和逆變器的�(guān)鍵功率器��

替代型號(hào)

IPA60R079P7_S5, IRFB4110TRPBF, FDP150AN8S

iaut300n08s5n012atma2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

iaut300n08s5n012atma2�(chǎn)�

iaut300n08s5n012atma2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�19�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �53.90000剪切帶(CT�2,000 : �27.03790卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)300A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.2 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.8V @ 275μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)231 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)16250 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-HSOF-8-1
  • 封裝/外殼8-PowerSFN