IDH06G65C5 時(shí)間：2025/5/22 1:10:19 閱讀：9

IDH06G65C5 是一款基于硅技術(shù)的高壓 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的功耗。
　　這款器件能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，適合需要高效能和高性能的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào)：IDH06G65C5
　　類型：MOSFET
　　封裝形式：TO-247
　　VDS（漏源極擊穿電壓）：650V
　　RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：150mΩ
　　IDS（連續(xù)漏極電流）：6A
　　輸入電容：1350pF
　　柵極電荷：35nC
　　最大功耗：150W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

IDH06G65C5 具有以下顯著特性：
　　1. 高壓能力：能夠承受高達(dá) 650V 的漏源極電壓，適用于各種高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：其 RDS(on) 僅為 150mΩ，降低了導(dǎo)通損耗，提高了整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：得益于較低的柵極電荷和輸入電容，此器件擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，可減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：具備寬廣的工作溫度范圍，確保在極端條件下的可靠性。
　　5. 小型化封裝：采用 TO-247 封裝，節(jié)省了 PCB 空間，同時(shí)便于散熱管理。

應(yīng)用

IDH06G65C5 廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在無(wú)刷直流電機(jī)和其他類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用，以控制電機(jī)的速度和方向。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器：幫助將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，用于并網(wǎng)或離網(wǎng)系統(tǒng)。
　　4. 電子負(fù)載：作為電子負(fù)載的核心元件，用于測(cè)試電源和其他設(shè)備的性能。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化：在工業(yè)控制系統(tǒng)中用作功率開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)精確的功率管理和控制。