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IDM02G120C5 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 14:54:41 查看 閱讀�19

IDM02G120C5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款碳化硅(SiC)MOSFET功率晶體管。該器件采用先�(jìn)的SiC技�(shù)制�,具有高效率、高頻開�(guān)和高溫工作能力等�(yōu)�,適用于工業(yè)電源、電動汽車充電器、太陽能逆變器以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合�
  這款芯片封裝為TO-247-3,支持高�(dá)1200V的阻斷電�,并且其�(dǎo)通電阻非常低,有助于降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)性能�

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�2A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):160mΩ(典型值,25°C時)
  柵極電荷�12nC(最大值)
  開關(guān)頻率:最高可�(dá)1MHz
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

IDM02G120C5采用了先�(jìn)的SiC材料技�(shù),相比傳�(tǒng)硅基MOSFET具有顯著的優(yōu)�。其主要特性包括:
  1. 高電壓耐受能力�1200V的額定電壓使其能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用環(huán)�,例如電動車充電樁或工業(yè)級電源供�(yīng)�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為160mΩ,有效降低了功率損�,提升了效率�
  3. 快速開�(guān)性能:支持高�(dá)1MHz的開�(guān)頻率,可以減少無源元件體積,從而優(yōu)化設(shè)�(jì)尺寸�
  4. 寬溫工作范圍:從-55°C�175°C的工作溫度區(qū)間保證了器件在極端條件下的可靠��
  5. 高熱�(wěn)定性:得益于SiC材料的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能,此器件能夠在較高溫度下持續(xù)�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

IDM02G120C5適用于多種對效率和可靠性要求較高的場景,具體應(yīng)用包括:
  1. 電動車充電設(shè)備:由于其高效的功率�(zhuǎn)換能力和寬泛的工作溫度范�,非常適合用于電動車直流快速充電樁�
  2. 工業(yè)電源供應(yīng)器:在大功率工業(yè)電源�,該器件可以幫助�(shí)�(xiàn)更小體積、更高效率的�(shè)�(jì)�
  3. 太陽能逆變器:利用其快速開�(guān)特性和低功耗特�(diǎn),可提高太陽能發(fā)電系�(tǒng)的轉(zhuǎn)化效率�
  4. 不間斷電源(UPS):憑借出色的可靠性和耐用�,適合應(yīng)用于�(shù)�(jù)中心或其他關(guān)鍵設(shè)施中的不間斷電源系統(tǒng)�
  5. 電機(jī)�(qū)動器:在需要高頻工作的電機(jī)控制電路�,該器件提供了卓越的性能表現(xiàn)�

替代型號

C2M0012120D, STPSC120N120C3

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