IDT6116LA120DB 是一款由 Integrated Device Technology (IDT) 公司生產(chǎn)的高性能 SRAM 芯片。該芯片屬于低功耗靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器系�,主要面向需要快速訪�(wèn)和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包括通信�(shè)�、網(wǎng)�(luò)路由�、數(shù)�(jù)緩沖、工�(yè)控制以及消費(fèi)電子�(lǐng)��
IDT6116LA120DB 提供了出色的性能與低功耗特性相�(jié)合的�(yōu)�(shì),使其成為對(duì)速度和能耗要求較高的系統(tǒng)的理想選�。此外,它支持多種供電電壓范�,確保了在不同工作環(huán)境下的穩(wěn)定��
容量�16K x 8 bits
接口�(lèi)型:同步
核心電壓�3.3V
I/O 電壓�3.3V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
訪問(wèn)�(shí)間:10ns
封裝�(lèi)型:TQFP
引腳�(shù)�44
�(shù)�(jù)寬度�8�
封裝尺寸�10mm x 10mm
IDT6116LA120DB 的主要特�(diǎn)是其卓越的速度性能和較低的功耗水�。它的訪�(wèn)�(shí)間為 10 納秒,這使得它能夠�(mǎn)足高速系�(tǒng)的需求。同�(shí),該器件采用了先�(jìn)� CMOS 工藝技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更低的待機(jī)功耗和�(dòng)�(tài)功�。另外,其寬泛的工作溫度范圍確保了在極端�(huán)境下依然可以�(wěn)定運(yùn)��
此外,IDT6116LA120DB 支持同步�(shí)鐘操�,允許用�(hù)通過(guò)外部�(shí)鐘信�(hào)�(lái)精確控制讀�(xiě)周期。這種同步�(jī)制不僅提高了系統(tǒng)的整體效�,還�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)程中的時(shí)序管�。最后,該器件具有自刷新功能,在某些特定條件下可以�(jìn)一步降低功��
這款 SRAM 芯片適用于多種高性能�(chǎng)�,例如高速緩�、網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器的數(shù)�(jù)緩沖、工�(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�。由于其低功耗特�,也非常適合便攜式或電池供電�(shè)備中�(duì)�(shù)�(jù)暫存有需求的�(yīng)用�
同時(shí),IDT6116LA120DB 在視頻處�、圖像捕捉及嵌入式系�(tǒng)等領(lǐng)域也有廣泛用途。憑借其高可靠性和快速響�(yīng)能力,能�?yàn)檫@些應(yīng)用提供必要的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)支持�
IDT71V16LH12B, CY7C1041DV33