IDT71256L35DB是一款由Integrated Device Technology (IDT) 公司生產(chǎn)的高�、低功耗的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�(SRAM),主要應(yīng)用于需要高可靠性和快速訪問的�(shù)�(jù)緩沖和臨�(shí)存儲(chǔ)場景。該器件采用CMOS技�(shù)制�,具有出色的性能和穩(wěn)定性,適用于通信、網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制以及消費(fèi)電子等領(lǐng)��
IDT71256L35DB具備32K x 8位的存儲(chǔ)容量,即總共256Kb的存�(chǔ)空間。它支持多種工作模式,并且兼容標(biāo)�(zhǔn)的SRAM接口�(xié)議,易于集成到各種系�(tǒng)�。此�,該芯片在設(shè)�(jì)上注重低功耗特性,在保持高性能的同�(shí)能夠有效減少能源消��
存儲(chǔ)容量�256Kb
組織�(jié)�(gòu)�32K x 8
�(shù)�(jù)寬度�8�
核心電壓�3.3V
I/O電壓�3.3V
訪問�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�44-Pin TSOP II
IDT71256L35DB的主要特性包括:
1. 高速操作:該芯片能夠在10ns的典型訪問時(shí)間內(nèi)完成�(shù)�(jù)讀�,滿足實(shí)�(shí)處理需��
2. 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化電路結(jié)�(gòu),該芯片在待�(jī)模式下的功耗極�,非常適合對能效有要求的�(yīng)��
3. �(wěn)定性:采用先�(jìn)的CMOS工藝,確保在寬溫范圍�(nèi)具備高度可靠��
4. �(qiáng)大的保護(hù)�(jī)制:�(nèi)置自�(dòng)寫保�(hù)功能,可防止意外�(shù)�(jù)覆蓋�
5. 容易集成:與主流微處理器和控制器的接口完全兼容,簡化了系�(tǒng)�(shè)�(jì)過程�
6. 工業(yè)級品�(zhì):符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合長�(shí)間運(yùn)行的工業(yè)�(huán)��
IDT71256L35DB廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 通信�(shè)備:如路由器、交換機(jī)中的�(shù)�(jù)包緩存�
2. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:用于臨時(shí)存儲(chǔ)�(wǎng)�(luò)流量�(shù)�(jù),提升數(shù)�(jù)處理效率�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:作為控制器的外部存儲(chǔ)�(kuò)展,用于保存�(guān)鍵程序或�(shù)�(jù)�
4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:例如高端音頻處理�(shè)備中的音效緩��
5. 嵌入式系�(tǒng):為嵌入式處理器提供高速數(shù)�(jù)緩沖,改善系�(tǒng)響應(yīng)速度�
IDT71256L35FB, IDT71V256L35DB