IDT71256L35TDB是一款高性能的SRAM(靜�(tài)隨機存取存儲器)芯片,屬于IDT公司的ZBT SRAM系列。該器件采用低功耗設(shè)�,支持高速數(shù)�(jù)訪問和低延遲操作,廣泛應(yīng)用于需要高吞吐量和快速響�(yīng)的應(yīng)用場��
該芯片具�32K x 18位的存儲容量,總?cè)萘繛?76千比�。它采用了先進的CMOS工藝制�,具備出色的電氣特性和可靠性。此外,IDT71256L35TDB還支持多種工作模�,并且可以通過片選信號和地址輸入靈活地進行�(shù)�(jù)讀寫操作�
存儲容量�576千比� (32K x 18)
工作電壓�3.3V
訪問時間�5ns/10ns
接口類型:同�
封裝形式:TQFP-44
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)寬度�18�
功耗:低功耗模式可降至微瓦�
IDT71256L35TDB具備以下主要特性:
1. 高速性能:支持高�200MHz的工作頻�,提供極短的�(shù)�(jù)訪問時間�
2. 靈活的操作模式:支持突發(fā)模式、單周期模式和塊寫入模式等多種操作方��
3. 低功耗設(shè)計:在待機模式下功耗極低,非常適合對功耗敏感的�(yīng)��
4. 可靠性:�(nèi)置奇偶校驗功能,能夠有效檢測和糾正數(shù)�(jù)錯誤�
5. 快速切換:支持快速的片選切換,適合多任務(wù)并行處理�(huán)��
6. 寬溫度范圍:能夠在工�(yè)級溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適�(yīng)各種嚴苛�(huán)境�
7. 易用性:通過簡單的控制信號即可實�(xiàn)�(fù)雜的�(shù)�(jù)操作�
IDT71256L35TDB因其�(yōu)異的性能和靈活�,適用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機等需要高速緩存和�(shù)�(jù)緩沖的場��
2. 圖形處理:用于圖形控制器或圖像處理器中的幀緩沖區(qū)�
3. 工業(yè)自動化:在PLC、運動控制器和其他實時控制系�(tǒng)中作為臨時數(shù)�(jù)存儲�
4. 測試與測量:用于示波�、邏輯分析儀等設(shè)備中的數(shù)�(jù)采集和緩��
5. 嵌入式系�(tǒng):在嵌入式處理器中充當高速緩存或程序存儲區(qū)�
IDT71V256L35TDB, IDT70V256L35TDB