IDT7164S100DB是來自Integrated Device Technology (IDT) 的一款靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),采用CMOS技術(shù)制造。該芯片具有高速度和低功耗的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景。
這款SRAM提供2K x 8位的存儲(chǔ)容量,支持快速訪問時(shí)間,并且具有同步接口以實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸。其高可靠性、低功耗設(shè)計(jì)使其非常適合通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制以及其他對(duì)性能要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域。
存儲(chǔ)容量:2K x 8位
訪問時(shí)間:10ns
工作電壓:3.3V
封裝類型:44引腳TSOP-II
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
接口類型:同步
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:無限期(在有效供電條件下)
IDT7164S100DB采用了先進(jìn)的CMOS工藝制程,確保了芯片的低功耗性能。
其10ns的快速訪問時(shí)間使設(shè)備能夠適應(yīng)高速系統(tǒng)環(huán)境中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理需求。
同步接口設(shè)計(jì)提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃院托�,減少了信號(hào)延遲。
此外,芯片的工作溫度范圍寬廣,適用于多種苛刻環(huán)境下的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。
該型號(hào)還具有自動(dòng)省電模式,在不使用時(shí)可以顯著降低功耗,延長(zhǎng)系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間。
IDT7164S100DB主要用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。
典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
- 網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩沖
- 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的高速數(shù)據(jù)記錄
- 嵌入式系統(tǒng)中的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 醫(yī)療設(shè)備中的圖像處理和數(shù)據(jù)緩存
- 通信設(shè)備中的協(xié)議轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)暫存
憑借其高可靠性和低功耗特點(diǎn),此芯片特別適合需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備。
IDT71V64S100DB, CY7C1041DV33, IS61LV256AL-10BLL