IDT7164S20TDB是一種靜�(tài)RAM(SRAM)芯片,屬于IDT公司生產(chǎn)的高�、低功耗存儲器系列。該器件具有64K x 8位的存儲容量,支持快速讀寫操作,廣泛�(yīng)用于需要高�(shù)�(jù)吞吐量和�(wěn)定性能的系�(tǒng)��
該芯片采用CMOS工藝制�,具有低功耗特性和出色的電氣性能。它兼容多種總線架構(gòu),適合用作高速緩沖存儲器或臨時數(shù)�(jù)存儲。此�,IDT7164S20TDB提供工業(yè)級工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下的可靠運��
存儲容量�64K x 8�
訪問時間�10 ns
供電電壓�5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TQFP
�(shù)�(jù)保持時間:無�
功耗:典型�200 mW
引腳�(shù)�44
輸入輸出配置:三�(tài)輸出
IDT7164S20TDB具有以下主要特性:
1. 高速訪問時�,能夠滿足實時處理的需��
2. �(nèi)置自刷新功能,確保數(shù)�(jù)完整��
3. 支持異步讀寫操�,簡化了與外部處理器的接口設(shè)��
4. 提供全面的數(shù)�(jù)保護機制,避免因電源波動�(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�
5. 兼容JEDEC標準,便于與其他系統(tǒng)組件集成�
6. 工業(yè)級溫度范圍,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
7. CMOS工藝制�,具備低功耗優(yōu)��
IDT7164S20TDB適用于多種高性能電子系統(tǒng),包括但不限于:
1. 工業(yè)控制�(shè)備中的高速緩存存儲�
2. 通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖�
3. �(yī)療儀器中的臨時數(shù)�(jù)存儲�
4. 嵌入式系�(tǒng)中的程序和數(shù)�(jù)存儲�
5. 測試測量�(shè)備中的高速數(shù)�(jù)采集與處��
該芯片憑借其高速度和穩(wěn)定性,在需要頻繁讀寫操作的�(yīng)用場景中表現(xiàn)尤為突出�
IDT7164BM20TDB
IDT7164BM20TLC
CY7C164A-10LC
HM628128-10PU