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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IDT7164S20TDB

IDT7164S20TDB 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 14:32:55 查看 閱讀�30

IDT7164S20TDB是一種靜�(tài)RAM(SRAM)芯片,屬于IDT公司生產(chǎn)的高�、低功耗存儲器系列。該器件具有64K x 8位的存儲容量,支持快速讀寫操作,廣泛�(yīng)用于需要高�(shù)�(jù)吞吐量和�(wěn)定性能的系�(tǒng)��
  該芯片采用CMOS工藝制�,具有低功耗特性和出色的電氣性能。它兼容多種總線架構(gòu),適合用作高速緩沖存儲器或臨時數(shù)�(jù)存儲。此�,IDT7164S20TDB提供工業(yè)級工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下的可靠運��

參數(shù)

存儲容量�64K x 8�
  訪問時間�10 ns
  供電電壓�5V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP
  �(shù)�(jù)保持時間:無�
  功耗:典型�200 mW
  引腳�(shù)�44
  輸入輸出配置:三�(tài)輸出

特�

IDT7164S20TDB具有以下主要特性:
  1. 高速訪問時�,能夠滿足實時處理的需��
  2. �(nèi)置自刷新功能,確保數(shù)�(jù)完整��
  3. 支持異步讀寫操�,簡化了與外部處理器的接口設(shè)��
  4. 提供全面的數(shù)�(jù)保護機制,避免因電源波動�(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�
  5. 兼容JEDEC標準,便于與其他系統(tǒng)組件集成�
  6. 工業(yè)級溫度范圍,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  7. CMOS工藝制�,具備低功耗優(yōu)��

�(yīng)�

IDT7164S20TDB適用于多種高性能電子系統(tǒng),包括但不限于:
  1. 工業(yè)控制�(shè)備中的高速緩存存儲�
  2. 通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖�
  3. �(yī)療儀器中的臨時數(shù)�(jù)存儲�
  4. 嵌入式系�(tǒng)中的程序和數(shù)�(jù)存儲�
  5. 測試測量�(shè)備中的高速數(shù)�(jù)采集與處��
  該芯片憑借其高速度和穩(wěn)定性,在需要頻繁讀寫操作的�(yīng)用場景中表現(xiàn)尤為突出�

替代型號

IDT7164BM20TDB
  IDT7164BM20TLC
  CY7C164A-10LC
  HM628128-10PU

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