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IDT74FCT164245TPV 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:17:03 查看 閱讀�31

IDT74FCT164245TPV � IDT 公司生產(chǎn)的高� CMOS 靜態(tài)存儲�,具有低功耗和高性能的特�(diǎn)。該器件� 16K x 9�145,792 位)靜態(tài) RAM,采用先�(jìn)� CMOS 技�(shù)制�,能夠在較低的電源電壓下�(yùn)行,同時(shí)保持較高的速度性能。該芯片廣泛�(yīng)用于需要大容量�(shù)�(jù)緩沖、臨�(shí)存儲以及高速數(shù)�(jù)處理的場��
  該芯片支持同步和異步操作模式,允許用戶根�(jù)具體需求靈活配置工作狀�(tài)。此�,它還具備自動掉電功�,當(dāng)芯片處于待機(jī)模式�(shí),可顯著降低功��

參數(shù)

邏輯類型:SRAM
  存儲容量�145,792 bits (16K x 9)
  訪問�(shí)間:5 ns
  工作電壓�3.3V ± 0.3V
  封裝形式:TQFP-100
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:無限(在供電情況下)
  輸入輸出配置�9-bit wide I/O
  封裝引腳�(shù)�100

特�

1. 高速運(yùn)行能力,支持 5ns 的訪問時(shí)�,適合高頻應(yīng)用場��
  2. 超低功耗設(shè)�(jì),在待機(jī)模式下電流消耗極�,非常適合便攜式�(shè)備�
  3. 支持同步和異步兩種工作模�,提高了靈活性和適應(yīng)性�
  4. �(nèi)置自動省電功�,在非活動期間可有效降低功��
  5. 寬泛的工作溫度范�,確保其能夠在各種環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 提供高可靠性保�(hù)�(jī)制,如內(nèi)置數(shù)�(jù)刷新電路,以防止�(shù)�(jù)丟失�
  7. CMOS 工藝制�,保證了芯片的高效能與穩(wěn)定��
  8. 封裝緊湊,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��

�(yīng)�

1. �(shù)�(jù)緩沖:用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和工業(yè)控制中的高速數(shù)�(jù)緩沖�
  2. 圖像處理:在圖像采集和處理系�(tǒng)中用作幀緩存�
  3. 嵌入式系�(tǒng):作為嵌入式微控制器的外部擴(kuò)展存儲器�
  4. 高速通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器等設(shè)備中提供臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲�
  5. 測試測量儀器:用作信號捕捉和處理的�(shù)�(jù)存儲媒介�
  6. �(yī)療電子設(shè)備:用于�(yī)療成像和其他需要快速數(shù)�(jù)處理的場��

替代型號

IDT71V36736BTPV, CY7C1049V33I

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  • �(chǎn)品型�
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