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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IFR3386T0SE01

IFR3386T0SE01 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:00:33 查看 閱讀�20

IFR3386T0SE01是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高頻和高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理和通信�(shè)備中�
  其封裝形式為TO-263-3,也稱為DPAK,能夠提供良好的散熱性能和電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�47A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�11nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝類型:TO-263-3 (DPAK)

特�

IFR3386T0SE01具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ),可顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 低柵極電荷和輸出電荷,支持更高的開關(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)��
  3. 高雪崩能�,能夠在異常條件下保�(hù)器件免受損壞�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能在高溫環(huán)境下可靠�(yùn)行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的法規(guī)要求�
  6. 封裝具備出色的散熱性能,確保在高電流負(fù)載下的穩(wěn)定表�(xiàn)�

�(yīng)�

該器件適合多種應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)和同步整��
  2. DC->3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��

替代型號(hào)

IRF3386TRPBF, IFR3386T0SE1, IRF3386PBF

ifr3386t0se01推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)