IFX1050GVIOXUMA1是英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件適用于高功率�(yīng)用場合,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能。它主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、工�(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域。其封裝形式為TO-263-3(D2PAK�,能夠有效提高散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�58A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V�
總功耗:270W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IFX1050GVIOXUMA1采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升效��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受性�
4. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),確保其在汽車應(yīng)用中的可靠��
5. 封裝�(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣連接性能�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和電�(jī)控制�
2. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和功率�(zhuǎn)��
3. 通信�(shè)備中的DC/DC�(zhuǎn)換器�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
5. 各種類型的開�(guān)電源適配器和充電��
BSC010N06NS3, IRFZ44N