IGP15N60T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用N溝道技�(shù),具備高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功率損耗。其封裝形式通常為TO-247或TO-220,便于散熱設(shè)�(jì)和安裝�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:3.8Ω
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:快速恢�(fù)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
IGP15N60T具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(600V�,適用于高壓�(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻(3.8Ω典型值),減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,可提高系統(tǒng)的功率密��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 封裝�(jié)�(gòu)�(jiān)�,便于高效散�,適合功率密集型�(yīng)��
這款MOSFET廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 工業(yè)控制�(shè)�
6. UPS不間斷電源系�(tǒng)
由于其高耐壓和低損耗特�(diǎn),特別適合需要高效率和穩(wěn)定性的電力電子�(shè)��
IPW15N60D, IRFP460, STP15NK60Z