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IGP15N60T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:35:06 查看 閱讀�34

IGP15N60T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用N溝道技�(shù),具備高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功率損耗。其封裝形式通常為TO-247或TO-220,便于散熱設(shè)�(jì)和安裝�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:3.8Ω
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)速度:快速恢�(fù)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

IGP15N60T具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓(600V�,適用于高壓�(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(3.8Ω典型值),減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
  3. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,可提高系統(tǒng)的功率密��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 封裝�(jié)�(gòu)�(jiān)�,便于高效散�,適合功率密集型�(yīng)��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 逆變�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 工業(yè)控制�(shè)�
  6. UPS不間斷電源系�(tǒng)
  由于其高耐壓和低損耗特�(diǎn),特別適合需要高效率和穩(wěn)定性的電力電子�(shè)��

替代型號

IPW15N60D, IRFP460, STP15NK60Z

igp15n60t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

igp15n60t資料 更多>

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igp15n60t參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IGP15N60T
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 類型溝道和場截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2.05V @ 15V�15A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最�130W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000683044