IGP30N65H5XKSA1 是一款基于硅技術的 N � MOSFET,采� TO-247 封裝。這款器件設計用于高頻開關應用,如開關電源、逆變�、電機驅動等。它具有較低的導通電阻和柵極電荷,從而有助于提高效率并減少開關損��
� MOSFET 的最大漏源電壓為 650V,能夠承受較高的電壓,同時其連續(xù)漏極電流可達 30A(在特定條件下)。這些特性使其適用于需要高功率密度和高效能的應用場��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻(典型值)�180mΩ
柵極電荷�35nC
總電容:1800pF
結溫范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
IGP30N65H5XKSA1 具有以下顯著特性:
1. 高電壓能力:支持高達 650V 的漏源電�,適合高壓應用場景�
2. 低導通電阻:典型值為 180mΩ,可以有效降低導通損��
3. 快速開關性能:較小的柵極電荷和輸出電�,有助于減少開關時間及相關的能量損失�
4. 熱穩(wěn)定性:能夠在較寬的溫度范圍內運行,適應惡劣的工作環(huán)��
5. 可靠性高:經(jīng)過優(yōu)化的設計確保了長期使用的�(wěn)定性和可靠性�
� MOSFET 廣泛應用于各種高功率電子設備�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 逆變�
4. 電機驅動
5. 太陽能逆變�
6. 電動車牽引逆變�
這些應用充分利用� IGP30N65H5XKSA1 的高電壓、低損耗和快速開關特點,以實�(xiàn)更高的效率和性能�
IPW30N65S5
IXFN30N65T
IRFP460
FDP18N65C3