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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IGP30N65H5XKSA1

IGP30N65H5XKSA1 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 12:32:05 查看 閱讀�14

IGP30N65H5XKSA1 是一款基于硅技術的 N � MOSFET,采� TO-247 封裝。這款器件設計用于高頻開關應用,如開關電源、逆變�、電機驅動等。它具有較低的導通電阻和柵極電荷,從而有助于提高效率并減少開關損��
  � MOSFET 的最大漏源電壓為 650V,能夠承受較高的電壓,同時其連續(xù)漏極電流可達 30A(在特定條件下)。這些特性使其適用于需要高功率密度和高效能的應用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻(典型值)�180mΩ
  柵極電荷�35nC
  總電容:1800pF
  結溫范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

IGP30N65H5XKSA1 具有以下顯著特性:
  1. 高電壓能力:支持高達 650V 的漏源電�,適合高壓應用場景�
  2. 低導通電阻:典型值為 180mΩ,可以有效降低導通損��
  3. 快速開關性能:較小的柵極電荷和輸出電�,有助于減少開關時間及相關的能量損失�
  4. 熱穩(wěn)定性:能夠在較寬的溫度范圍內運行,適應惡劣的工作環(huán)��
  5. 可靠性高:經(jīng)過優(yōu)化的設計確保了長期使用的�(wěn)定性和可靠性�

應用

� MOSFET 廣泛應用于各種高功率電子設備�,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 逆變�
  4. 電機驅動
  5. 太陽能逆變�
  6. 電動車牽引逆變�
  這些應用充分利用� IGP30N65H5XKSA1 的高電壓、低損耗和快速開關特點,以實�(xiàn)更高的效率和性能�

替代型號

IPW30N65S5
  IXFN30N65T
  IRFP460
  FDP18N65C3

igp30n65h5xksa1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

igp30n65h5xksa1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格500 : �15.49960管件
  • 系列TrenchStop?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝道
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)55 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)90 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V�30A
  • 功率 - 最大�188 W
  • 開關能量280μJ(開��100μJ(關�
  • 輸入類型標準
  • 柵極電荷70 nC
  • 25°C � Td(開/關)�19ns/177ns
  • 測試條件400V�15A�23 歐姆�15V
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商器件封�PG-TO220-3